Моделирование эффекта саморазогрева КНИ МОП-транзистора с различной конфигурацией скрытого оксида

Моделирование эффекта саморазогрева КНИ МОП-транзистора с различной конфигурацией скрытого оксида

КНИ МОП-транзисторы имеют худшие условия для отвода тепла из рабочей области, что негативно сказывается на надежности и производительности микросхем. С помощью TCAD-моделирования исследован эффект саморазогрева в структурах КНИ МОП-транзистора с различной конфигурацией скрытого оксида: традиционная структура на объемном кремнии, структура кремний на изоляторе, структура с «окном» в скрытом оксиде (SELBOX), КНИ-структура с неполным скрытым оксидом (Partial SOI), КНИ-структура с тонким скрытым оксидом (thin-BOX SOI), КНИ-структура с тонким карманом и тонким оксидом (UTBB SOI) и КНИ-структура с L -образным скрытым оксидом (Quasi-SOI). Показано, что для новых конструкций значение максимальной температуры в структуре прибора существенно снижается по сравнению с Т  стандартной структуры КНИ МОП-транзистора, приближаясь к значениям, характерным для стандартных МОП-транзисторов на объемном кремнии.
Константин Орестович Петросянц
Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики», г. Москва, Россия; Институт проблем проектирования в микроэлектронике Российской академии наук, г. Москва, Россия
Дмитрий Александрович Попов
Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики», г. Москва, Россия
Поделиться