1561-5405 10.24151/1561-5405 Proceedings of Universities. Electronics Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics" Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника» 1561-5405 2587-9960 National Research University of Electronic Technology Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" 621.38:79Информационно-телекоммуникационные системыDevelopment of Magneto-Semiconductor Microsystems TechnologyРазвитие технологий магнитополупроводниковых микросистемАмеличев Владимир Викторович АмеличевВладимир Викторович ViktorovichAmelichev VladimirAmelichev Vladimir ViktorovichАбанин Иван Евгеньевич АбанинИван Евгеньевич EvgenevichAbanin IvanAbanin Ivan EvgenevichКостюк Дмитрий Валентинович КостюкДмитрий Валентинович ValentinovichKostyuk DmitriyKostyuk Dmitriy ValentinovichКасаткин Сергей Иванович КасаткинСергей Иванович IvanovichKasatkin SergeyKasatkin Sergey IvanovichРезнев Алексей Алексеевич РезневАлексей Алексеевич AlekseevichReznev AlekseyReznev Aleksey AlekseevichСауров Александр Николаевич СауровАлександр Николаевич NikolaevichSaurov AleksandrSaurov Aleksandr NikolaevichНПК «Технологический центр», г. Москва, РоссияНПК «Технологический центр» (г. Москва)Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН (г. Москва)ФГКУ «В/ч 68240», г. Москва, РоссияИнститут нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, г. Москва, Россия505510http://ivuz-e.ru/issues/5-_2015/razvitie_tekhnologiy_magnitopoluprovodnikovykh_mikrosistem/http://ivuz-e.ru/download/5_2015_1866.pdf

The results of the development of technologies for magnetic semiconductor chips based on thin-film magnetoresistive multilayer nanostructures are presented. A brief overview of the main achievements in the field of magnetometric devices based on anisotropic and giant magnetoresistive effect is made.

Представлены результаты развития технологий магнитополупроводниковых микросистем на основе многослойных тонкопленочных магниторезистивных наноструктур. Дан краткий обзор основных достижений в области создания магнитометрических приборов на основе анизотропного и гигантского магниторезистивных эффектов.

анизотропный магниторезистивный эффектгигантский магниторезистивный эффектмагниторезистивная наноструктурамагнито- полупроводниковая микросистематонкопленочная технология Касаткин С.И., Муравьев А.М. Тонкопленочные магниторезистивные датчики // Электронные компоненты. – 2003. – № 3. – C.1–4.Касаткин С.И., Васильева Н.П., Муравьёв А.М. Спинтронные магниторезистивные элементы и приборы на их основе. – М.: Электронинформ, 2005. – 168с.Микроэлектронная магниторезистивная технология / В.В. Амеличев, А.И. Галушков, В.В. Дягилев и др. // Нано- и микросистемная техника. – 2007. – № 3. – С. 22–26.Гуляев Ю.В., Зильберман П.Е., Панас А.И., Эпштейн Э.М. Спинтроника: обменное переключение ферромагнитных металлических переходов при малой плотности токов // УФН. – 2009. – Т. 179. – № 4. – С. 359–368.Беспроводная магниторезистивная микросистема измерения магнитного поля / В.В. Аравин, В.В. Амеличев, А.А. Демин и др. // Изв. вузов. Электроника. – 2012. – №6(98). – С. 57–63.Сайт фирмы NVE URL: www.nve.com (дата обращения: 27.04.2015).Перспективы применения тонкопленочных магниторезистивных наноструктур в многокристальных беспроводных МЭМС / В.В. Аравин, В.В. Амеличев, В.Д. Вернер и др. // Материалы IX науч.-техн. конф. «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА». – Звенигород, 2010. – С. 152–153.http://powerelectronics.com/passive-components/microtransformer-isolation-benefits-digital-control (дата обращения: 27.04.2015).