1561-5405 10.24151/1561-5405 Proceedings of Universities. Electronics Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics" Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника» 1561-5405 2587-9960 National Research University of Electronic Technology Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" 621.315.592.669Материалы электронной техникиProduction of Silicon Nanoparticles for Use in Solar CellsПолучение наночастиц кремния для использования в солнечных элементахГрибов Борис Георгиевич ГрибовБорис Георгиевич GeorgievichGribov BorisGribov Boris GeorgievichЗиновьев Константин Владимирович ЗиновьевКонстантин Владимирович VladimirovichZinovev KonstantinZinovev Konstantin VladimirovichКалашник Олег Николаевич КалашникОлег Николаевич NikolaevichKalashnik OlegKalashnik Oleg NikolaevichГерасименко Николай Николаевич ГерасименкоНиколай Николаевич NikolaevichGerasimenko NikolayGerasimenko Nikolay NikolaevichСмирнов Дмитрий Игоревич СмирновДмитрий Игоревич IgorevichSmirnov DmitriySmirnov Dmitriy IgorevichСуханов Валерий Николаевич СухановВалерий Николаевич NikolaevichSukhanov ValeriySukhanov Valeriy NikolaevichКононов Николай Николаевич КононовНиколай Николаевич NikolaevichKononov NikolayKononov Nikolay NikolaevichДорофеев Сергей Геннадиевич ДорофеевСергей Геннадиевич GennadievichDorofeev SergeyDorofeev Sergey GennadievichАО «НИИ молекулярной электроники», г. Москва, Россиялов» (г. Москва)ОАО «НИИ особо чистых материалов» (г. Москва)Национальный исследовательский университет «МИЭТ»; Национальный исследовательский Томский государственный университетНациональный исследовательский университет «МИЭТ»Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук (г. Москва)Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова316324http://ivuz-e.ru/issues/4-_2016/poluchenie_nanochastits_kremniya_dlya_ispolzovaniya_v_solnechnykh_elementakh/http://ivuz-e.ru/download/4_2016_1659.pdf

The technological process for the production of silicon nanopparticles from silicon monoxide, which permits to control the particle size in the 2-10 nm range, and the methods of nanosilicon coating for solar cells have been developed. It has been shown that the nanosilicon films are characterized by good anti-reflection and passivating properties and can be successfully used in the solar cell production technology.

Разработаны технологический процесс получения наночастиц кремния из монооксида кремния, позволяющий управлять размерами частиц в диапазоне 2-10 нм, а также методы нанесения покрытий из нанокремния на солнечные элементы. Исследовано влияние таких покрытий на эффективность солнечных элементов. Показано, что пленки из нанокремния характеризуются хорошими просветляющими и пассивирующими свойствами и могут успешно использоваться в технологии изготовления солнечных элементов.

наночастицы кремниямонооксид кремниясолнечные элементыпросветляющие покрытия Nanosilicon / Ed. V. Kumar. – Elsevier Science. – 2nd ed. – 2016. – 464 p.Ищенко А.А., Фетисов Г.В., Асланов Л.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля. – М.: Физматлит, 2011. – 648 с.Выращивание нанокристаллического кремния из матрицы аморфного монооксида кремния/ Б.Г. Грибов, К.В. Зиновьев, О.Н. Калашник и др. // Изв. вузов. Электроника. – 2012. – № 4. – С. 13–17.Способ получения кремния высокой чистоты / Б.Г. Грибов, К.В. Зиновьев, О.Н. Калашник и др. // Патент РФ №2497753. – 2013. – Бюл. № 31.Структура и фазовый состав монооксида кремния/ Б.Г. Грибов, К.В. Зиновьев, О.Н. Калашник и др. // Изв. вузов. Электроника. – 2011. – №.4. – С. 3–8.Владимиров А.Г., Коровин С.Б., Пустовой В.И. Люминесценция кремниевых наночастиц // Сб. тез. докл. Первого международного форума по нанотехнологиям «Rusnanotech-08». – М., 2008. – С. 767–769.Fujii M. Optical properties of intrincic and shallow impurity-doped silicon nanocrystals / Ed. By L. Pavesi, R. Turan // Silicon Nanocrystals: Fundamentals, Synthesis and Applications. – WILEY-VCH Veriag GmbH & Co. KGa, 2010. – Ch. 3. – P. 43–68.Нанокристаллический кремний, полученный из SiO / С.Г. Дорофеев, Н.Н. Кононов, Г.В. Фетисов и др. // Инженерный журнал «Нанотехника». – 2010. – № 3(20). – С. 3–12.Диэлектрические и транспортные свойства тонких пленок, осажденных из золей, содержащих наночастицы кремния / Н.Н. Кононов, С.Г. Дорофеев, А.А. Ищенко и др. // Физика и техника полупроводников. – 2011. – Т.45. – Вып. 3. – C. 1068–1078.Применение тонких пленок из наночастиц кремния для увеличения эффективности солнечных элементов / С.Г. Дорофеев, Н.Н. Кононов, В.М. Звероловлев и др. // ФТП. – 2014. – Т.48. – Вып.3. – C. 375–383.