Разработаны алгоритм и методика расчета максимальных значений компонент выходного тока МОП-транзистора с индуцированным каналом n -типа в зависимости от топологических норм субмикронных и наноразмерных технологий для преобразователя частоты при наличии на его входе интенсивной помехи. Проведены расчет и анализ синфазных компонент спектральных составляющих промежуточной частоты для заданных амплитуд помехи, сигнала и гетеродина.
1. Красников Г.Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов: в 2-х ч. Ч. 1. М.: Техносфера, 2002. 416 с.
2. Адамов Д. Учет особенностей микроэлектронных технологий при проектировании БИС // Электроника: НТБ. 2007. №7. С. 98.
3. Пожидаев Л.И., Мушта А.И. Оценка эффективности транзисторного преобразова-теля частоты при воздействии на его вход интенсивной гармонической помехи // Радио-техника и электроника. 1983. – Т. 28. – № 10. С. 2067.
4. Хорошайлова М.В., Шеховцов Д.В., Мушта А.И., Строгонов А.В. Сток-затворные характеристики МОП-транзисторов с индуцированными каналами в наноразмерном тех-нологическом базисе // Вестник ВГТУ. 2014. Т. 10. № 3-1.
5. University software license and maintenance argeement. Argeement №: USLMA / VST / 1210. Date of argeement: December 8, 2010.
6. Cadence® AnaLog Design Enviroнмent User Guide. Product Version 5.0, 2003, 480 p.
7. Бруевич А.Н., Евтянов С.И. Аппроксимация нелинейных характеристик и спектры при гармоническом воздействии. М.: Сов. радио, 1965. 344 с.
8. Николаев И. М., Филинюк Н. А. Интегральные микросхемы и основы их проекти-рования: учебник для техникумов. – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Радио и связь, 1992. – 424 с.
9. Журавлев Д.В., Мушта А.И. Алгоритм расчета спектральной компоненты преобра-зованной частоты МДП-транзистором, реализованным по глубокосубмикронной или на-нотехнологии // Информационный бюллетень «Алгоритмы и программы». 2013. № 2.
10. Sheng S. Li. Semiconductor physical electronics. Second Edition. Springer, 2006.