1561-5405 10.24151/1561-5405 Proceedings of Universities. Electronics Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics" Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника» 1561-5405 2587-9960 National Research University of Electronic Technology Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" 11642757621.382.049.77Микроэлектронные приборы и системыPhotoelectrical Processes of Five-Diode Vertical Integrated Spectrum-Selective PhotocellФотоэлектрические процессы в пятидиодной вертикально интегрированной спектрально-селективной фотоячейкеХайновский Владимир Иванович ХайновскийВладимир Иванович IvanovichKhaynovskiy VladimirKhaynovskiy Vladimir IvanovichИгнатьева Елена АлександровнаИгнатьеваЕлена АлександровнаElenaAleksandrovna IgnatevaAleksandrovna Ignateva ElenaУздовский Валерий Владимирович УздовскийВалерий Владимирович VladimirovichUzdovskiy ValeriyUzdovskiy Valeriy VladimirovichНациональный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия1016http://ivuz-e.ru/issues/4-_2008/fotoelektricheskie_protsessy_v_pyatidiodnoy_vertikalno_integrirovannoy_spektralno_selektivnoy_fotoya/http://ivuz-e.ru/download/4_2008_2791.pdf

The distributions of the electrical potential in the bulk of the five-diode vertically integrated photo-receiving structure have been studied. The spectral photosensitivities of five regions of the conductivity different types have been obtained. The photo relaxation times for the above mentioned regions have been found.

Исследованы распределения электрического потенциала в толще пятидиодной вертикально интегрированной фотоприемной структуры. Получены спектральные характеристики фоточувствительностей в пяти областях различного типа проводимости. Для указанных областей найдены времена фоторелаксации.

 Игнатьева Е.А., Уздовский В.В., Хайновский В.И. Расчет конструктивных параметров и электрического потенциала трехдиодной вертикально интегрированной спектральноселективной фотоячейки // Изв. вузов. Электроника. - 2008. - № 1. - С. 35-42.Игнатьева Е.А., Уздовский В.В., Хайновский В.И. Анализ процессов фоторелаксации и фотоэлектрических характеристик трехдиодной вертикально интегрированной спектрально-селективной фотоячейки // Изв. вузов. Электроника. - 2008. - № 3. - С. 38-44.US Pat. № 5,969,875, lnt.CI. G0lJ 3/50, U.S.CI. 250/226, Color Separation in an Active Pixel Cell Imaging Array Using а Triple-Well-Structure / Merrill R.B. - 12 Oct. - 1999.Barsan R. Characteristics of the Overlaid Charge-Coupled Device // IEEE Transactions оп Electron Devices. - 1979. - Vol. ED-26, No. 2. - Р. 123-131.Кhainovskii V.L., Uzdovskii V.V. Theoretical and experimental study of photoelectric characteristics of the two-channel bulk charge-coupled device // Optical Engineering. - 1994. - Vоl. 33, No. 7, July. - Р. 2352-2356.Кhainovskii V.l., Uzdovskii V.V. Photoelectrical characteristics of the spectrozonal two-channel bulkcharge coupled device // Proc. 40th Int. Symp. Opt. Епg. Inst. (San Diego, California, USA, 13-14 July, 1995). - Vol. 2551. - 1995. - Р. 189-196.Кhainovskii V.l., Uzdovskii V.V. Numerical simulation of photoelectrical characteristics of the spectrozoпal three-channel bulk charge coupled device // Optical Engineering. - 1997. - Vol. 36, June. - Р. 1678-1684.Хайновский В.И., Уздовский В.В., Гордо Н.М. Многофункциональные спектрозональные фоточувствительные объемные приборы с зарядовой связью // Изв. вузов. Электроника. - 1999. - № 3. - С. 45-51.Хайновский В.И., Уздовский В.В., Гордо Н.М., Федоров Р.А. Моделирование процессов фоторелаксации в многоканальных объемных фоточувствительных приборах с зарядовой связью // Изв. вузов. Электроника. - 2000. - № 1. - С. 28-35.