A four-parameter static mathematical model of a field-effect transistor, continuous with all its derivatives, has been proposed. The specific feature of the model is the application of physical parameters effectively determined by the least-squares method.
Региональные (кусочные) модели полевого транзистора (ПТ) в силу разрыва высших производных на границе пологой и крутой областей БАХ не позволяют оценивать интермодуляционные искажения. Для их расчета разработан ряд моделей. В настоящей работе рассматривается статическая математическая модель ПТ в замкнутой форме (компактная модель), непрерывная со всеми производными. Предложенная модель предназначена для оценки интермодуляционных искажений в радиотехнических цепях на ПТ. Модель не содержит новых параметров по сравнению с известными, имеет более низкую погрешность, чем трехпараметрическая модель и позволяет эффективно проводить идентификацию параметров методом наименьших квадратов.