<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<article xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xmlns:ali="http://www.niso.org/schemas/ali/1.0/" article-type="research-article" dtd-version="1.2" xml:lang="en">
  <front>
    <journal-meta>
      <journal-id journal-id-type="issn">1561-5405</journal-id>
	    <journal-id journal-id-type="doi">10.24151/1561-5405</journal-id>	  
      <journal-id journal-id-type="publisher-id">Proceedings of Universities. Electronics</journal-id>
      <journal-title-group>
        <journal-title xml:lang="en">Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics"</journal-title>
        <trans-title-group xml:lang="ru">
          <trans-title>Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника»</trans-title>
        </trans-title-group>        
      </journal-title-group>      
      <issn publication-format="print">1561-5405</issn>
      <issn publication-format="online">2587-9960</issn>
      <publisher>
        <publisher-name xml:lang="en">National Research University of Electronic Technology</publisher-name>
        <publisher-name xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"</publisher-name>
      </publisher>
    </journal-meta>
    <article-meta>                                    
      
    <article-id pub-id-type="doi">10.24151/1561-5405-2017-22-3-285-291</article-id><article-id pub-id-type="udk">621.374.4: 621.382.233</article-id><article-categories><subj-group><subject>Интегральные радиоэлектронные устройства</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title xml:lang="en">High Multiplicity Frequency Multiplier with Microwave-Switch Integrated into Bandpass Filters</article-title><trans-title-group xml:lang="ru"><trans-title>Умножитель частоты высокой кратности с СВЧ-ключом, интегрированным в полосно-пропускающие фильтры</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Усанов Дмитрий Александрович </string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Усанов</surname><given-names>Дмитрий Александрович </given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Aleksandrovich</surname><given-names>Usanov Dmitriy</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Usanov Dmitriy Aleksandrovich</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Скрипаль Александр Владимирович</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Скрипаль</surname><given-names>Александр Владимирович</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Skripal</surname><given-names>Alexander V.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Alexander V. Skripal</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-2"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Посадский Виктор Николаевич </string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Посадский</surname><given-names>Виктор Николаевич </given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Nikolaevich</surname><given-names>Posadskiy Viktor</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Posadskiy Viktor Nikolaevich</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-3"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Тяжлов Виталий Семёнович </string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Тяжлов</surname><given-names>Виталий Семёнович </given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Semyenovich</surname><given-names>Tyazhlov Vitaliy</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Tyazhlov Vitaliy Semyenovich</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-3"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Григорьев Дмитрий Владимирович </string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Григорьев</surname><given-names>Дмитрий Владимирович </given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Vladimirovich</surname><given-names>Grigorev Dmitriy</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Grigorev Dmitriy Vladimirovich</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-3"/></contrib><aff id="AFF-1" xml:lang="ru">Саратовский национальный исследовательский государственный уни-верситет им. Н.Г. Чернышевского, г. Саратов, Россия</aff><aff id="AFF-2" xml:lang="ru">Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, г. Саратов, Россия</aff><aff id="AFF-3" xml:lang="ru">АО «НПЦ «Алмаз-Фазотрон», г. Саратов, Россия</aff></contrib-group><fpage>285</fpage><lpage>291</lpage><self-uri>http://ivuz-e.ru/issues/3-_2017/umnozhitel_chastoty_vysokoy_kratnosti_s_svch_klyuchom_integrirovannym_v_polosno_propuskayushchie_fil/</self-uri><self-uri content-type="pdf">http://ivuz-e.ru/download/3_2017_1741.pdf</self-uri><abstract xml:lang="en"><p>The most important units of the frequency formers are the frequency multipliers. The possibility of creating a microwave high multiplicity frequency multiplier with the built-in microwave switch on n - i - p - i - n -diode has been considered. For allocating the multiplied signal from spectrum the output multisecion bandpass filter in the form of a sequentially counter stud microstrip resonators, tuned to the required 24 harmonic, has been used. The highest switch off effect is achieved when the n - i - p - i - n -diode is turned on so that one n -region of the diode has been galvanically coupled to the input element of the microstrip filter, the other n -region has been connected to the first stud resonator of the bandpass filter. When n - i - p - i - n -diodes are simultaneously switched to the first and central resonators of the band-pass filter, the total relative change of the output signal exceeds 70 dB under the bias voltage changing on each of the n - i - p - i - n -diodes from 0 to 1.7 V.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="ru"><p>Умножители частоты в настоящее время получили широкое распространение в самых разных видах радиоэлектронной аппаратуры. Рассмотрена возможность создания СВЧ-умножителя частоты высокой кратности со встроенным СВЧ-ключом на n - i - p - i - n -диодах. Для выделения из спектра умноженного сигнала использован настроенный на необходимую 24-ю гармонику выходной полосно-пропускающий многозвенный фильтр, выполненный в виде последовательно расположенных встречных шпильковых резонаторов в микрополосковом исполнении. Наибольший эффект запирания достигается при включении n - i - p - i - n -диода следующим образом: одна n -область диода гальванически соединена с входным элементом микрополоскового фильтра, другая n -область - с первым шпильковым резонатором полосно-пропускающего фильтра. При одновременном включении n-i-p-i-n -диодов в первый и центральный резонаторы полосно-пропускающего фильтра суммарное относительное изменение выходного сигнала превышает 70 дБ при изменении напряжения смещения на каждом из n-i-p-i-n -диодов от 0 до 1,7 В.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>СВЧ-умножитель частоты высокой кратности</kwd><kwd>встречно-включенные полупроводниковые диоды</kwd><kwd>полосно-пропускающий фильтр</kwd><kwd>СВЧ-ключ на n-i-p-i-n-диодах</kwd></kwd-group><funding-group/></article-meta>
  </front>
  <body/>
  <back>
    <ref-list><ref id="B1"><label>1.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Манаев Е.И. Основы радиоэлектроники. – М.: Радио и Связь, 1990. – 512 с.</mixed-citation></ref><ref id="B2"><label>2.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Белов Л. Новые компоненты СВЧ-устройств фирмы Hittite Microwave //Электроника НТБ. – 2008. – Вып. 5. – С. 63–68.</mixed-citation></ref><ref id="B3"><label>3.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Кувшинов В., Кочемасов В., Горбачев В. Устройства на основе ЖИГ-резонаторов – продукция компании Micro Lambda Wireless. Ч. 1. // Электроника НТБ. – 2014. – Вып. 6. – С. 157–160.</mixed-citation></ref><ref id="B4"><label>4.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Вайсблат А.А. Коммутационные устройства СВЧ на полупроводниковых диодах. – М.: Радио и связь, 1987. – 120 с.</mixed-citation></ref><ref id="B5"><label>5.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Тихонюк В., Бражник В. Быстродействующие бескорпусные p–i–n-диоды. Новая технология изготовления// Электроника НТБ. – 1997. – Вып. 1. – С. 25–27.</mixed-citation></ref><ref id="B6"><label>6.</label><mixed-citation xml:lang="ru">GaAs MMIC SPDT (Single Pole Double Throw). – URL: http://www.cel.com/parts.do?command= load&amp;amp;idRootPart;=2602 (дата обращения: 16.01.2017).</mixed-citation></ref><ref id="B7"><label>7.</label><mixed-citation xml:lang="ru">MP202 GaAs МИС двухпозиционного СВЧ-коммутатора 0,1-6 ГГц. – URL: http://www.micran.ru/productions/MIS/switches/MP202/ (дата обращения: 19.01.2017).</mixed-citation></ref><ref id="B8"><label>8.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Модуль СВЧ M 34216-1. – URL: http://www.oao-tantal.ru/tovar.php?id=3196 (дата об-ращения: 19.01.2017).</mixed-citation></ref><ref id="B9"><label>9.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Keysight Technologies 85331B/85332B. Solid State Switches. Technical Overview. – URL: http://literature.cdn.keysight.com/litweb/pdf/5989-4960EN.pdf?id=823356) (дата обра-щения: 16.01.2017).</mixed-citation></ref><ref id="B10"><label>10.</label><mixed-citation xml:lang="ru">СВЧ-умножители высокой кратности / Д.А. Усанов, В.Н. Посадский, А.В. Скри-паль и др. // Изв. вузов России. Радиоэлектроника. – 2014. – Вып. 4. – С. 48–50.</mixed-citation></ref><ref id="B11"><label>11.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Михайлов А.И., Тяжлов В.С., Григорьев Д.В. Разработка и экспериментальное исследование СВЧ-умножителя частоты высокой кратности на полупроводниковом дио-де//Электронная техника. Сер. 1. СВЧ-техника. – 2013. – № 3 (518). – С. 76–80.</mixed-citation></ref><ref id="B12"><label>12.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Беляев Б.А., Волошин А.С., Морозов Н.В., Галеев Р.Г. Широкополосная микро-полосковая антенна с полосно-пропускающим фильтром на шпильковых резонаторах// Письма в ЖТФ. – 2015. – Т. 41. – Вып.5. – С. 65–73.</mixed-citation></ref><ref id="B13"><label>13.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Диоды полупроводниковые СВЧ переключательные 2А505А–2А505В. – URL: http://www.eandc.ru/pdf/diod/2a505.pdf (дата обращения: 23.01.2017).</mixed-citation></ref><ref id="B14"><label>14.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Фотонные структуры и их использование для измерения параметров материалов / Д.А. Усанов, А.В. Скрипаль, А.В. Абрамов и др. // Изв. вузов. Электроника. – 2008. – №5. – С. 25–32.</mixed-citation></ref><ref id="B15"><label>15.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Микрополосковые фотонные кристаллы и их использование для измерения пара-метров жидкостей / Д.А. Усанов, А.В. Скрипаль, А.В. Абрамов и др. // Журнал техниче-ской физики. – 2010. – Т. 80. – Вып. 8. – С. 143–148.</mixed-citation></ref></ref-list>    
  </back>
</article>
