<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<article xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xmlns:ali="http://www.niso.org/schemas/ali/1.0/" article-type="research-article" dtd-version="1.2" xml:lang="en">
  <front>
    <journal-meta>
      <journal-id journal-id-type="issn">1561-5405</journal-id>
	    <journal-id journal-id-type="doi">10.24151/1561-5405</journal-id>	  
      <journal-id journal-id-type="publisher-id">Proceedings of Universities. Electronics</journal-id>
      <journal-title-group>
        <journal-title xml:lang="en">Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics"</journal-title>
        <trans-title-group xml:lang="ru">
          <trans-title>Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника»</trans-title>
        </trans-title-group>        
      </journal-title-group>      
      <issn publication-format="print">1561-5405</issn>
      <issn publication-format="online">2587-9960</issn>
      <publisher>
        <publisher-name xml:lang="en">National Research University of Electronic Technology</publisher-name>
        <publisher-name xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"</publisher-name>
      </publisher>
    </journal-meta>
    <article-meta>                                    
      
    <article-id pub-id-type="doi">10.24151/1561-5405-2017-22-3-247-255</article-id><article-id pub-id-type="udk">621.311.69</article-id><article-categories><subj-group><subject>Схемотехника и проектирование</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title xml:lang="en">Calculation of Transient Processes and Parameters of Scheme of Voltage Doubler Based on Switched Capacitances</article-title><trans-title-group xml:lang="ru"><trans-title>Расчет переходных процессов и параметров схемы удвоителя напряжения на переключаемых емкостях</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Разуваев Юрий Юрьевич </string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Разуваев</surname><given-names>Юрий Юрьевич </given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Yurevich</surname><given-names>Razuvaev Yuriy</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Razuvaev Yuriy Yurevich</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><aff id="AFF-1" xml:lang="ru">Воронежский государственный университет, г. Воронеж, Россия</aff></contrib-group><fpage>247</fpage><lpage>255</lpage><self-uri>http://ivuz-e.ru/issues/3-_2017/raschet_perekhodnykh_protsessov_i_parametrov_skhemy_udvoitelya_napryazheniya_na_pereklyuchaemykh_emk/</self-uri><self-uri content-type="pdf">http://ivuz-e.ru/download/3_2017_1737.pdf</self-uri><abstract xml:lang="en"><p>The voltage doublers on the switched capacitors are the commonly used impulse voltage converters. Using the mathematical modeling of transient processes the formulas, permitting to design the scheme of the voltage doubler on the switched capacitors with an account of requirements to an established voltage level, rippling and transition time, have been derived. The validity of the analytical calculations has been verified by the circuit engineering simulation results. The practical recommendations for choosing the scheme parameters have been given. The obtained results permit to calculate the scheme parameters to obtain the necessary characteristics.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="ru"><p>Удвоители напряжения на переключаемых емкостях - широко применяемые импульсные преобразователи напряжения. Современный подход к проектированию электронных схем подразумевает применение специализированных программ схемотехнического моделирования, которые позволяют учесть множество факторов и получить результат, максимально приближенный к реальности. В работе приведено математическое описание переходных процессов в схеме удвоителя напряжения. С помощью математического моделирования переходных процессов получены формулы, позволяющие рассчитать схему удвоителя напряжения на переключаемых емкостях с учетом требований по уровню установившегося напряжения, размаху пульсаций, времени установления выходного напряжения. Справедливость аналитических расчетов подтверждена результатами схемотехнического моделирования. Даны практические рекомендации по выбору параметров схемы. Работа может представлять практический интерес для разработчиков аналоговых схем. Полученные формулы позволяют быстро рассчитать параметры схемы для получения желаемых характеристик.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>удвоитель напряжения</kwd><kwd>переключаемые конденсаторы</kwd><kwd>переходные процессы</kwd><kwd>схемотехническое моделирование</kwd></kwd-group><funding-group/></article-meta>
  </front>
  <body/>
  <back>
    <ref-list><ref id="B1"><label>1.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Pan F., Samaddar T. Charge pump circuit design. – The McGraw-Hill Companies, Inc. – 2006. – 247 p.</mixed-citation></ref><ref id="B2"><label>2.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Baker R.J. Circuit design, layout, and simulation // IEEE Series on Microelectronic Sys-tems. – Wiley-IEEE Press. – 1964. – 1177 p.</mixed-citation></ref><ref id="B3"><label>3.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Meyer P., Tucker J. Providing continuous gate drive using a charge pump // Texas In-struments. Application report SLVA444. – 2011. – URL: http://www.ti.com/lit/an/slva444/slva444.pdf (дата обращения: 03.02.2017).</mixed-citation></ref><ref id="B4"><label>4.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Васильев Е.С. Оптимизация архитектуры устройства с зарядовой накачкой по кри-терию занимаемой площади // Изв. вузов. Электроника. – 2012. – № 6(98). – С. 36–42.</mixed-citation></ref><ref id="B5"><label>5.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Palumbo G., Pappalardo D. Charge pump circuits: an overview on design strategies and topologies // IEEE Circuits and Systems Magazine. – 2010. – Vol.10. – Iss.1. – P. 31–45.</mixed-citation></ref><ref id="B6"><label>6.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Michelle Lim Sern Mi, Md. Shabiul Islam, Jahariah Sampe, Sawal Hamid Md. Ali. Re-view of Charge Pump Topologies for Micro Energy Harvesting Systems// American Journal of Applied Sciences. – 2016. – Vol.13. – Iss.5. – P.628–645.</mixed-citation></ref></ref-list>    
  </back>
</article>
