1561-5405 10.24151/1561-5405 Proceedings of Universities. Electronics Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics" Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника» 1561-5405 2587-9960 National Research University of Electronic Technology Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" 621.37.39Микроэлектронные приборы и системыInvestigation of Integrated Transistor for Low-Voltage ICsИсследование интегрального МОП-транзистора для микромощных интегральных схемРусанов Александр Валерьевич РусановАлександр Валерьевич ValerevichRusanov AleksandrRusanov Aleksandr ValerevichОсыкин Андрей Александрович ОсыкинАндрей Александрович AleksandrovichOsykin AndreyOsykin Andrey AleksandrovichБалашов Юрий Степанович БалашовЮрий Степанович StepanovichBalashov YuriyBalashov Yuriy StepanovichВоронежский государственный технический университетОАО «Научный исследовательский институт электронной техники» (г. Воронеж)224229http://ivuz-e.ru/issues/3-_2016/issledovanie_integralnogo_mop_tranzistora_dlya_mikromoshchnykh_integralnykh_skhem/http://ivuz-e.ru/download/3_2016_1699.pdf

The description and the results of measuring the parameters of the integrated MOSFET for low-voltage applications have been presented. The preliminary calculation of the device has been verified in CAD ISE TCad. Based on the performed studies the conclusion about consistency and effectiveness of the proposed MOS transistor for low-voltage applications has been made.

Представлены результаты измерения параметров интегрального МОП-транзистора для низковольтных применений. Проверены предварительные расчеты прибора в приборно-технологическом САПР ISE TCad. Показаны состоятельность и эффективность предлагаемого МОП-транзистора для низковольтных применений.

низкое напряжение питанияМОП-транзистор с электрически соединенными затвором и карманомМОП-транзистор с динамическим пороговым напряжением (DTMOS) Литература0.18 mm CMOS for mixed digital and analog applications with zero-volt-Vthepitaxial-channel MOSFET’s / T. Ohguro, H. Naruse, H. Sugaya et al. // IEEE Trans. on Electron Devic-es. – 1999. – Vol. 46. – N. 7. – P. 1378–1383.Razavi B. CMOS technology characterization for analog and RF design // IEEE J. on Sol-id-StateCircuits. – 1999. – Vol. 34. – N. 3. – P. 268–276.Dynamic threshold-voltage MOSFET (DTMOS) for ultra-low voltage VLSI / Fariborz Assaderaghi,D. Sinitsky, S.A. Parke et al. // IEEE Trans. ON Electron Devices. – 1997. – Vol. 44. – N. 3. – P. 414 – 422.Русанов А.В., Ткачев А.Ю., Балашов Ю.С. МОП-транзистор с управлением карма-ном и затвором одновременно // Вестник Воронежского государственного технического университета. – 2012. – Т. 8. – С. 151–154.Русанов А.В., Ткачев А.Ю., Балашов Ю.С. Физические основы работы МОП-транзисторас управлением карманом и затвором одновременно // Вестник Воронежского государ-ственного технического университета. – 2012. – Т. 8. – № 11. – С. 116–118.Русанов А.В., Ткачев А.Ю., Балашов Ю.С. Эквивалентная схема МОП-транзистора с электрически соединенными затвором и карманом // Изв. вузов. Электроника. – 2014. – № 1(105) – С. 85–86.Описание технологического процесса ОАО «НИИМЭ и «Микрон» [Электронный ресурс]. – URL: http://www.mikron.sitronics.ru/products/micron/technology/ (дата обращения: 05.10.2015).Скляр В.А., Русанов А.В., Ткачев А.Ю., Балашов Ю.С. Интегральная микросхема биполярной МОП транзисторной структуры с низким напряжением питания // Свиде-тельство РФ № 2013630073. – 2013.