Предложена модель, описывающая физические процессы, сопровождающие взаимодействие тяжелых заряженных частиц с полупроводниковым детектором ионизирующего излучения. Решена задача оптимизации электрофизических характеристик и конструкции детекторной ячейки. Модель позволяет в условиях наличия процессов рекомбинации рассчитать выходной ток детектора в зависимости от толщины его активной области и прикладываемого к датчику напряжения.
1. Иванов А.М., Лебедев А.А., Строкан Н.Б. Влияние экстремальных доз радиации на характеристики SiC-детекторов ядерных частиц // ЖТФ. - 2006. - Т. 40, вып. 10. - С. 1259-1263.
2. Электрофизические свойства GaAs слоев и особенности характеристик детекторов частиц высоких энергий на их основе / В.А.Беспалов, А.А.Горбацевич, В.И.Егоркин и др. // ЖТФ. - 2004. - Т. 74. Вып. 3. - С. 28-73.
3. Айзенштат Г.И., Биматов М., Воробьев А.П., Толбанов О.П. Сбор заряда в координтных детекторах рентгеновского излучения на основе полуизолирующего GaAs компенсированного хромом // Тез. докл. Восьмой Российской конф. «Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-Y». - 2002. - С. 269-272.
4. P-i-n-структуры на основе высокоомного геттерированного арсенид галлия для детекторов α-частиц / А.Т.Гореленок, А.А.Томасов, Н.М.Шмидт и др. // Письма в ЖТФ. - 2006. - Т. 32, вып. 22.
5. Бор Н. Прохождение атомных частиц через вещество. - М.: Иностранная литература, 1950.
6. Гергель В.А., Ильичев Э.А., Лукьянченко А.И., Полторацкий Э.А. Паразитное управление по подложке в полевых транзисторах на арсениде галлия // ФТП. - 1992. - Т. 26. Вып. 5. - С. 794-800.
7. Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. - М.: Физ.-мат. лит., 1963.