1561-5405 10.24151/1561-5405 Proceedings of Universities. Electronics Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics" Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника» 1561-5405 2587-9960 National Research University of Electronic Technology Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" 11583059621.315.592.669Материалы электронной техникиNew Technologies of Polycrystalline Silicon Production for Solar IndustryНовые технологии получения поликристаллического кремния для солнечной энергетикиГрибов Борис Георгиевич ГрибовБорис Георгиевич GeorgievichGribov BorisGribov Boris GeorgievichЗиновьев Константин Владимирович ЗиновьевКонстантин Владимирович VladimirovichZinovev KonstantinZinovev Konstantin VladimirovichАО «НИИ молекулярной электроники», г. Москва, Россиялов» (г. Москва)ОАО «НИИ особо чистых материалов» (г. Москва)1017http://ivuz-e.ru/issues/3-_2008/novye_tekhnologii_polucheniya_polikristallicheskogo_kremniya_dlya_solnechnoy_energetiki/http://ivuz-e.ru/download/3_2008_2964.pdf

The problems in production of polycrystalline silicon for solar cells at present and in the nearest future have been considered. New progressive technologies, already realized in the pilot-scale production, as well as the recent original developments have been presented. In particular, the reduction of silicon oxides in the gas phase is a very promising process for production of high-purity silicon.

Рассмотрены проблемы производства поликристаллического кремния для солнечных элементов в настоящее время и в обозримом будущем. Представлены новые прогрессивные технологии, которые уже реализованы в опытном производстве, а также некоторые оригинальные разработки последнего времени. В частности, очень перспективным для получения высокочистого кремния является процесс восстановления оксидов кремния в газовой фазе.

 Заддэ В.В, Наумов А.В. Трихлорсилан и Солнце // The Chemical Journal. - 2006. - № 3. - С. 44-48.Наумов А.В. Еще раз о развитии солнечной энергетики и рынке кремниевого сырья с 2007-2010 гг. // Тез. докл. IV Российской конф. с междунар. участием по физике, материаловедению и физико-химическим основам технологии получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе «Кремний - 2007». - М., 2007. - С. 46-50.Грибов Б.Г., Зиновьев К.В. Получение высокочистого кремния для солнечных элементов // Неорганические материалы. - 2003. - Т. 39, № 7. - С. 775-785.Pilot production of granular polysilicon from trichlorosilane using a fluidized bed-type reactor / D.Weidhaus, E.Schindlbeck, K.Hesse et al. // 20-th Europ (PVSEC). - 2005. - P. 565-568.Пат. США №7029632. Radiation - heated fluidized-bed reactor. Weidhaus D. et al. (Wacker Chemie), 2006.New Process for cost effective Solar Grade Silicon from silane / A.Muller, R.Sonnenschein, T. Sill et al. // 20-th Europ (PVSEC). - 2005. - P. 623-626.Masatsugu Yamaguchi. Polysilicon manufacturing implementing the reduction of silicon tetrachloride with zinc vapor: a very uncommon approach from shisso // 4-th Solar Silicon conference. - Munich, 2007. - С. 78-85.Kreutzmann A. Yellow is the color of hope // Photon International. - 2006. - № 9. - С. 66-70.Моносилан в технологии полупроводниковых материалов Е.П.Белов, Е.Н.Лебедев, Ю.П. Григораш и др. / М.: НИИТЭХИМ, 1989. - 72 с.Бесхлорная алкоксисилановая технология получения полупроводникового кремния / Е.П.Белов, В.Г.Герливанов, С.И.Клещевникова и др. // Тр. междунар. конгресса «Бизнес и инвестиции в области возобновляемых источников энергии в России». - М., 1999. - С. 226-236.Исследование взаимодействия силицидов лития с кислотами для получения моносилана / В.В.Соколов, Л.Н.Трушникова, А.П. Зубарева и др. // Материалы электронной техники. - 2003. - № 3. - С. 22-25.Процессы взаимодействия гидрида лития с двуокисью кремния / А.А.Камарзин, Ю.М.Зеленин, В.И. Лаврентьев и др. // Материалы электронной техники. - 2001. - № 2. - С. 16-19.Тамендаров М.Ф. Новый способ получения силана для производства солнечного кремния // Тез. докл. I Российской конф. «Кремний-2003». - М., 2003. - С. 366.Production of polycrystalline silicon sheet with different shapes by sintering of silicon powders / A.Derbouz Draona, A.Straboni, A.M.Archambault et al. // 20-th Europ. PVSEC. - 2005. - P. 1474-1477.Development of NEDO melt-purification process of solar-grade silicon / N.Yuge, M.Abe, K.Hanazawa et al. // Techn. Dig. Int. PVSEC, 1999. - 22Аl. - P. 115-118.Катков О.М. Выплавка технического кремния. - Иркутск: Изд-во ИПУ, 1997. - 243 с.Production of Solar grade silicon by carbothermic reduction of high purity silica / F.Aratani, Y.Sakaguchi, N.Yuge et al. // Bull. Jpn. Inst. Metals, 1991. - Vol. 30, № 5. - P. 433-435.Абдюханов И.М. Разработка научных основ технологии производства металлургического кремния повышенной чистоты для наземной фотоэнергетики // Российский хим. журнал. - 2001. - Т. 45, № 5-6. - С. 107-111.Solar grade-silicon by a direct route based on carbothermic reduction of silica: requirements and production technology / L.J.Geerlings, G.P.Wyers, R. Yensen et al. // 12-th NREL Workshoр on Crystalline Silicon Solar Cells, Materials and Processes. - 2002.Schmela M. Mapping the silicon world // Photon International. - 2005. - № 5. - P. 24-35.Получение кремния для фотоэнергетики из кремнийсодержащих отходов металлургической промышленности / Х.А.Абдуллин, Б.А.Бекетов, Н.С. Бектурганов и др. // Тез. докл. Совещания «Кремний-2004». - Иркутск, 2004. - С. 35.Демин В.Н., Титов А.А., Ващенко С.П., Кузнецов Ф.А. О возможности газофазного восстановления кварцитов // Тез. докл. Совещания «Кремний-2004». - Иркутск, 2004. - С. 19.Ботвинкин О.К., Запорожский А.И. Кварцевое стекло. - М.: Изд-во литературы по строительству, 1965. - 235 с.Пат. США №3010797. High purity elemental silicon / R.S.Aries. - 1961.Пат. Японии №561235. Метод производства мелкодисперсного монооксида кремния / T.Funahashi, K.Ueda, R.Ucnimura, Y.Oguchi. - 1990.Плазменный процесс получения моноокиси кремния / И.Д.Кулагин, В.К.Любимов, К.Г.Марин и др. // Физика и химия обработки материалов, 1967. - № 2. - С. 36-41.Pat. ЕР 0329803 31. Method and apparatus for preparing high-purity metallic silicon / F.Aratani, T.Fukutake. - 1993.Пат. РФ №21737386. Способ получения мульти- и монокристаллического кремния / А.М.Прохоров, Г.Н.Петров, Н.А. Калужский и др. - 1999.Леко В.К., Мазурин О.В. Свойства кварцевого стекла. - Л.: Наука, 1985. - 148 с.Решение о выдаче пат. РФ по заявке №2006130023/15 (032646). Способ получения кремния высокой чистоты / В.Д.Афанасьев, Б.Г.Грибов, К.В.Зиновьев и др. - 2006.Кинетика газификации кремнезема в различных условиях / Г.Г.Папин, И.В.Рябчиков, Н.М. Деханов и др. // Докл. АН СССР. Химическая технология. - 1971. - Т.196, № 5. - С. 1156-1158.Некрасов Б.В. Основы общей химии. - 3-е. изд. - М.: Химия, 1974. - Т. 1. - 656 с.