1561-5405 10.24151/1561-5405 Proceedings of Universities. Electronics Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics" Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника» 1561-5405 2587-9960 National Research University of Electronic Technology Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" 11583061548.3:621.382Материалы электронной техникиModel of Structure of II Group Metals Wurtzite and Cubic NitridesМодель структуры вюрцитных и кубических нитридов металлов IIIa группыНеустроев Степан Архипович НеустроевСтепан Архипович ArkhipovichNeustroev StepanNeustroev Stepan ArkhipovichНациональный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия2631http://ivuz-e.ru/issues/3-_2008/model_struktury_vyurtsitnykh_i_kubicheskikh_nitridov_metallov_iiia_gruppy/

The structure of the crystals of the (B, Al, Ga, In, Tl) metals nitrides has been presented by the closed-up tetrahedrons so that the «nitrogen» tetrahedron includes the apex of the «metal» one, and the «metal» one that one of the «nitrogen» tetrahedron. The parameters of the wurtzite and cubic syngony - the position and the distance between atoms, the nitrogen radius, the displacement of different atoms from the center of the tetrahedron masses, etc. - have been determined.

Структура кристаллов нитридов металлов (B, Al, Ga, In, Tl) представлена сомкнутыми тетраэдрами так, что «азотный» тетраэдр содержит в себе вершину «металлического», а «металлический» – вершину «азотного». Определены параметры вюрцитной и кубической сингонии, а именно положение и расстояние между атомами, радиус азота, смещение разноименных атомов от центра масс тетраэдра и др.

 Mohammad S.N. Elеctrical characteristics of thin film cubic boron nitride // Solid-State Electronics. -2002. - Vol. 46, N 1. - P. 203-222.Marcoc H., Di Carlo A., Cingolani R. GaN-based modulation doped FETs and UV detectors // Solid-State Electronics. - 2002. - Vol. 46, N 1. - P. 157-202.Natl. Bur. Stand. (USA). Monogr. - 1975. - N 25 (12). - P.5.Справочник химика: В 5 т. Т. 1. / Под ред. Б.П.Никольского. - М.-Л.: Химия, 1966. - 1071 с.Yeh C.Y., Lu Z.W., Froyen S., Zunger A. Zinc-biende-wurtzite politipism in semiconductors // Phys. Rev. B. - 1992. - Vol. 46, N 16. - P. 10086-10097.Самсонов Г.В., Пилянкевич А.П., Андреева А.Ф., Шагинян Л.Р. Структура пленок нитрида таллия // ДАН СССР. - 1973. - Т. 213, № 1. - С. 101-103.Химическая энциклопедия: В 5 т. Т. 1. / Под ред. И.Л.Кнунянца. - М.: Сов. энциклопедия, 1988. - С. 301-303.Fiala. Central Resarch institute SKODA, Czechoslovakia. 1973. (Private Communication).Kieffer R., Wruss W., Willer B. Propertietes phisigues et ceramiques AlN-Al2O3 obtenues par compression a chaud // Rev. Int. Huetes Temp et Refract. - 1976. - Vol. 13, N 2. - P. 97-107.Vollstadt H., Ito E., Akaishi M. et al. High pressure synthesis of rocksalt Type of AlN // Proc. Japan Acad. Ser B. - 1990. - Vol. 66, N 11. - P. 7-9.Van Camp P.E., Van Doren V.E., Devreese J.T. High-pressure properties of wurtzite and rocksalt-type aluminium nitride // Phys. Rev. B. - 1991. - Vol. 44, N 16. - P. 9056-9059.