<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<article xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xmlns:ali="http://www.niso.org/schemas/ali/1.0/" article-type="research-article" dtd-version="1.2" xml:lang="en">
  <front>
    <journal-meta>
      <journal-id journal-id-type="issn">1561-5405</journal-id>
	    <journal-id journal-id-type="doi">10.24151/1561-5405</journal-id>	  
      <journal-id journal-id-type="publisher-id">Proceedings of Universities. Electronics</journal-id>
      <journal-title-group>
        <journal-title xml:lang="en">Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics"</journal-title>
        <trans-title-group xml:lang="ru">
          <trans-title>Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника»</trans-title>
        </trans-title-group>        
      </journal-title-group>      
      <issn publication-format="print">1561-5405</issn>
      <issn publication-format="online">2587-9960</issn>
      <publisher>
        <publisher-name xml:lang="en">National Research University of Electronic Technology</publisher-name>
        <publisher-name xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"</publisher-name>
      </publisher>
    </journal-meta>
    <article-meta>                                    
      
    <article-id pub-id-type="doi">10.24151/1561-5405-2021-26-3-4-234-245</article-id><article-id pub-id-type="udk">621.382:620.183.2:539.22:539.25.085.332</article-id><article-categories><subj-group><subject>Технологические процессы и маршруты</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title xml:lang="en">Features of the Manufacturing Process of Silicon Tips for Cantilevers</article-title><trans-title-group xml:lang="ru"><trans-title>Особенности процесса изготовления кремниевых игл для кантилеверов</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Новак Андрей Викторович</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Новак</surname><given-names>Андрей Викторович</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Novak</surname><given-names>Andrey V.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Andrey V. Novak</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Новак Виктор Рудольфович</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Новак</surname><given-names>Виктор Рудольфович</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Novak</surname><given-names>Victor R.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Victor R. Novak</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-2"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Румянцев Александр Владимирович</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Румянцев</surname><given-names>Александр Владимирович</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Rumyantsev</surname><given-names>Alexander V.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Alexander V. Rumyantsev</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-3"/></contrib><aff id="AFF-1" xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия; ОАО «Ангстрем», г. Москва, Россия; ОАО «Ангстрем», г. Москва, Россия</aff><aff id="AFF-2" xml:lang="ru">ООО «НТ-МДТ Спектрум Инструментс», г. Москва, Россия</aff><aff id="AFF-3" xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия</aff></contrib-group><fpage>234</fpage><lpage>245</lpage><self-uri>http://ivuz-e.ru/issues/3-4-_2021/osobennosti_protsessa_izgotovleniya_kremnievykh_igl_dlya_kantileverov/</self-uri><self-uri content-type="pdf">http://ivuz-e.ru/download/34_2021_2709.pdf</self-uri><abstract xml:lang="en"><p>Sample surface examination in atomic force microscopy is carried out using cantilevers having the form of elastic consoles with sharp needle (tip) at the free end. Quality of images obtained from atomic force microscope (AFM) heavily depends on tip sharpness degree. Silicon cantilevers made based on wet anisotropic etching are widely used in atomic force microscopy. This paper studies the dependence of the shape and size of the resulting tip on the concentration of KOH in the solution, as well as the effect of pyrogenic oxidation and oxidation in a dry oxygen atmosphere on the sharpness of the tip during the sharpening process. It was shown that when 70 % concentration is used, tips with the highest aspect ratio and maximum height are obtained. In this case, the shape of the needle is an octagonal pyramid, the lateral faces of which are formed by eight crystallographic planes from {311} and {131}. It was found that in a two-stage sharpening process, consisting of pyrogenic oxidation and oxidation in a dry oxygen atmosphere, it is possible to form sufficiently sharp probes with a tip radius of 2-5 nm and an apex angle of 14-24°. It has been established that a one-stage sharpening process based on pyrogenic oxidation provides only the production of probes with a radius of about 14 nm. Comparative tests of the manufactured probes in obtaining AFM images of a test sample of a polycrystalline silicon film with hemispherical grains (HSG-Si) were presented. Research study has revealed that such a statistical parameter as the relative increment of the surface area S is the most sensitive to probe sharpness for surfaces of the HSG-Si film type.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="ru"><p>Исследование поверхности образцов в атомно-силовой микроскопии проводится с применением кантилеверов, представляющих собой упругую консоль с острой иглой на свободном конце. Качество изображений, получаемых с помощью атомно-силового микроскопа, существенным образом зависит от степени остроты иглы. Широко используемыми являются кантилеверы из монокристаллического кремния, изготавливаемые на основе жидкостного анизотропного травления. В работе изучена зависимость формы и размеров формируемой иглы от концентрации KOH в растворе. Исследовано влияние пирогенного окисления и окисления в атмосфере сухого кислорода на остроту иглы при проведении процесса заострения. Определено, что при 70 &amp;#37;-ной концентрации KOH формируются иглы, имеющие наибольшее аспектное отношение и максимальную высоту. При этом форма иглы представляет собой восьмиугольную пирамиду, боковые грани которой образованы восемью кристаллографическими плоскостями из {311} и {131}. Показано, что при двухэтапном процессе заострения, состоящем из пирогенного окисления и окисления в атмосфере сухого кислорода, удается формировать достаточно острые зонды с радиусом острия 2-5 нм и углом при вершине 14-24°, в то время как одноэтапный процесс заострения игл на основе пирогенного окисления обеспечивает получение зондов с радиусом около 14 нм. Проведены сравнительные испытания изготовленных зондов. С помощью атомно-силового микроскопа получены изображения тестового образца пленки поликристаллического кремния с полусферическими зернами &amp;#40;HSG-Si&amp;#41;. Определено, что такой статистический параметр, как относительное приращение площади поверхности S , является наиболее чувствительным к «степени остроты» зонда для поверхностей пленки типа HSG-Si.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>анизотропное травление в KOH</kwd><kwd>атомно-силовая микроскопия</kwd><kwd>кантилевер</kwd></kwd-group><funding-group/></article-meta>
  </front>
  <body/>
  <back>
    <ref-list><ref id="B1"><label>1.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Burt D.P., Dobson P.S., Donaldson L., Weaver J.M.R. A simple method for high yield fabrication of sharp silicon tips // Microelectronic Engineering. 2008. Vol. 85. Iss. 3. P. 625–630. DOI: https://doi.org/10.1016/j.mee.2007.11.010</mixed-citation></ref><ref id="B2"><label>2.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Wolter O., Bayer Th., Greschner J. Micromachined silicon sensors for scanning force microscopy // Journal of Vacuum Science &amp;amp; Technology B. 1991. Vol. 9. No. 2. P. 1353–1357. DOI: https://doi.org/10.1116/1.585195</mixed-citation></ref><ref id="B3"><label>3.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Li J., Xie J., Xue W., Wu D. Fabrication of cantilever with self-sharpening nano-silicon-tip for AFM applications // Microsystem Technologies. 2013. Vol. 19. Iss. 2. P. 285–290. DOI: https://doi.org/10.1007/s00542-012-1622-x</mixed-citation></ref><ref id="B4"><label>4.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Zhang X., Yu X., Li T., Wang Y. A novel method to fabricate silicon nanoprobe array with ultra-sharp tip on (111) silicon wafer // Microsystem Technologies. 2018. Vol. 24. Iss. 7. P. 2913–2917. DOI: https://doi.org/10.1007/s00542-017-3687-z</mixed-citation></ref><ref id="B5"><label>5.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Han J., Lu S., Li Q., Li X., Wang J. Anisotropic wet etching silicon tips of small opening angle in KOH solution with the additions of I2/KI // Sensors and Actuators A: Physical. 2009. Vol. 152. No. 1. P. 75–79. DOI: https://doi.org/10.1016/j.sna.2009.03.008</mixed-citation></ref><ref id="B6"><label>6.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Brugger J., Buser R.A., de Rooij N.F. Silicon cantilevers and tips for scanning force microscopy // Sensors and Actuators A: Physical. 1992. Vol. 34. No. 3. P. 193–200. DOI: https://doi.org/10.1016/0924-4247(92)85002-J</mixed-citation></ref><ref id="B7"><label>7.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Folch A., Wrighton M.S., Schmidt M.A. Microfabrication of oxidation-sharpened silicon tips on silicon nitride cantilevers for atomic force microscopy // Journal of Microelectromechanical Systems. 1997. Vol. 6. No. 4. P. 303–306. DOI: https://doi.org/10.1109/84.650126</mixed-citation></ref><ref id="B8"><label>8.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Formation of silicon tips with &amp;lt;1 nm radius / R.B. Marcus, T.S. Ravi, T. Gmitter et al. // Applied Physics Letters. 1990. Vol. 56. No. 3. P. 236–238. DOI: https://doi.org/10.1063/1.102841</mixed-citation></ref><ref id="B9"><label>9.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Ravi T.S., Marcus R.B., Liu D. Oxidation sharpening of silicon tips // Journal of Vacuum Science &amp;amp; Technology B. 1991. Vol. 9. No. 6. P. 2733–2737. DOI: https://doi.org/10.1116/1.585680</mixed-citation></ref><ref id="B10"><label>10.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Dey R.K., Shen J., Cui B. Oxidation sharpening of silicon tips in the atmospheric environment // Journal of Vacuum Science &amp;amp; Technology B. 2017. Vol. 35. No. 6. P. 06GC01. DOI: https://doi.org/10.1116/1.4998561</mixed-citation></ref><ref id="B11"><label>11.</label><mixed-citation xml:lang="ru">He H., Zhang J., Yang J., Yang F. Silicon tip sharpening based on thermal oxidation technology // Microsystem Technologies. 2017. Vol. 23. No. 6. P. 1799–1803. DOI: https://doi.org/10.1007/s00542-016-2941-0</mixed-citation></ref><ref id="B12"><label>12.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Marcus R.B., Sheng T.T. The oxidation of shaped silicon surfaces // Journal of the Electrochemical Society. 1982. Vol. 129. No. 6. P. 1278–1282. DOI: https://doi.org/10.1149/1.2124118</mixed-citation></ref><ref id="B13"><label>13.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Новак А.В., Новак В.Р. Оценка влияния размеров зонда на параметры морфологии поверхности пленок кремния с полусферическими зернами, получаемые методом атомно-силовой микроскопии // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2016. № 9. С. 70–80. DOI: https://doi.org/10.7868/S0207352816090109</mixed-citation></ref><ref id="B14"><label>14.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Новак А.В. Формирование пленок поликристаллического кремния с полусферическими зернами для конденсаторных структур с повышенной емкостью // Изв. вузов. Электроника. 2013. № 6 (104). С. 10–16.</mixed-citation></ref><ref id="B15"><label>15.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Новак А.В., Новак В.Р., Смирнов Д.И., Румянцев А.В. Особенности морфологии и структуры тонких пленок кремния // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2021. № 2. С. 60–66. DOI: https://doi.org/10.31857/S1028096021020114</mixed-citation></ref><ref id="B16"><label>16.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Zubel I. Silicon anisotropic etching in alkaline solutions III: On the possibility of spatial structures forming in the course of Si(100) anisotropic etching in KOH and KOH+IPA solutions // Sensors and Actuators A: Physical. 2000. Vol. 84 (1-2). P. 116–125. DOI: https://doi.org/10.1016/S0924-4247(99)00347-7</mixed-citation></ref></ref-list>    
  </back>
</article>
