5 марта 2023 г. исполнилось 90 лет известному ученому в области физики и технологии полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, заслуженному деятелю науки РФ, доктору технических наук, профессору Королёву Михаилу Александровичу.<br /> М. А. Королёв в 1957 г. окончил Московский химико-технологический институт им. Д. И. Менделеева по специальности «Технология электровакуумного и полупроводникового производства». Его трудовая деятельность началась в институте НИИ-35 &#40;«Пульсар»&#41;, где впервые в СССР стали заниматься разработкой плоскостных полупроводниковых приборов. Затем М. А. Королёв перешел в Институт точной механики и вычислительной техники АН СССР, откуда был приглашен на работу в НИИ молекулярной электроники &#40;г. Зеленоград&#41;, где организовал и возглавил отдел по разработке МОП интегральных схем.<br /> С 1971 г. М. А. Королёв стал работать в МИЭТ на кафедре интегральных полупроводниковых схем, которую в то время возглавлял академик К. А. Валиев, и занял должность ведущего преподавателя дисциплин технологического цикла. М. А. Королёв интенсивно занимался научной работой. Под его руководством разработаны оригинальные биполярные схемы на инжекционной логике на основе «обращенных структур», полученные при одновременной диффузии нескольких примесей. <br /> В 1991 г. М. А. Королёв защитил докторскую диссертацию и получил звание профессора. С 1995 по 2007 г. – декан факультета электроники и компьютерных технологий &#40;ЭКТ&#41; &#40;ранее – физико-технический факультет&#41; МИЭТ. С 2007 г. по настоящее время – профессор кафедры интегральной электроники и микросистем &#40;ИЭМС&#41;.<br /> М. А. Королёвым создана научная школа по разработке трехмерных ИС на основе КНИ-структур. Он является основателем нового технологического направления – создание схем на КНИ-структурах, формируемых оригинальным методом использования косвенного лазерного нагрева. На основе исследований разработаны и получены схемы с повышенной радиационной стойкостью, не имеющие аналогов в своем классе. В настоящее время М. А. Королёв активно занимается исследованием одного из новых направлений создания перспективной элементной базы микроэлектроники – беспереходные МОП-транзисторы.<br />