<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<article xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xmlns:ali="http://www.niso.org/schemas/ali/1.0/" article-type="research-article" dtd-version="1.2" xml:lang="en">
  <front>
    <journal-meta>
      <journal-id journal-id-type="issn">1561-5405</journal-id>
	    <journal-id journal-id-type="doi">10.24151/1561-5405</journal-id>	  
      <journal-id journal-id-type="publisher-id">Proceedings of Universities. Electronics</journal-id>
      <journal-title-group>
        <journal-title xml:lang="en">Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics"</journal-title>
        <trans-title-group xml:lang="ru">
          <trans-title>Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника»</trans-title>
        </trans-title-group>        
      </journal-title-group>      
      <issn publication-format="print">1561-5405</issn>
      <issn publication-format="online">2587-9960</issn>
      <publisher>
        <publisher-name xml:lang="en">National Research University of Electronic Technology</publisher-name>
        <publisher-name xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"</publisher-name>
      </publisher>
    </journal-meta>
    <article-meta>                                    
      
    <article-id pub-id-type="udk">537.311.322</article-id><article-categories><subj-group><subject>Краткие сообщения</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title xml:lang="en">Probe Measurement of Hall Effect in Anisotropic Semiconductor Finite Size Plates</article-title><trans-title-group xml:lang="ru"><trans-title>Зондовые измерения эффекта Холла в анизотропных пластинах и пленках</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Заворотний Анатолий Анатольевич </string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Заворотний</surname><given-names>Анатолий Анатольевич </given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Anatolevich</surname><given-names>Zavorotniy Anatoliy</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Zavorotniy Anatoliy Anatolevich</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Филиппов Владимир Владимирович </string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Филиппов</surname><given-names>Владимир Владимирович </given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Vladimirovich</surname><given-names>Filippov Vladimir</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Filippov Vladimir Vladimirovich</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><aff id="AFF-1" xml:lang="ru">Липецкий государственный педагогический университет</aff></contrib-group><fpage>195</fpage><lpage>197</lpage><self-uri>http://ivuz-e.ru/issues/2-_2015/zondovye_izmereniya_effekta_kholla_v_anizotropnykh_plastinakh_i_plenkakh/</self-uri><self-uri content-type="pdf">http://ivuz-e.ru/download/2_2015_2049.pdf</self-uri><abstract xml:lang="en"><p>In the work based on a mathematical model the technique of the Hall coefficient measurement in square anisotropic semiconductor plates and films the probe technique has been justified. As a result of the qualitative analysis the mathematical expressions for the Hall field potential in the sample have been obtained. The recommendations for using the offered measurement techniques have been given.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="ru"><p>На основе математической модели теоретически обоснованы зондовые измерения коэффициента Холла в прямоугольных анизотропных полупроводниковых пластинах. Даны практические рекомендации по использованию предложенной методики.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>анизотропный полупроводник</kwd><kwd>ЭДС Холла</kwd><kwd>двухзондовый метод</kwd></kwd-group><funding-group/></article-meta>
  </front>
  <body/>
  <back>
    <ref-list><ref id="B1"><label>1.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Кучис Е.В. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования. – М.: Радио и связь, 1990. – 264 с.</mixed-citation></ref><ref id="B2"><label>2.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Батавин B.В., Концевой Ю.А., Федорович Ю.В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. – М.: Радио и связь, 1985. – 264 с.</mixed-citation></ref><ref id="B3"><label>3.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Филиппов В.В., Поляков Н.Н., Мицук С.В. Восьмизондовый метод совместных измерений электропроводимости и коэффициента Холла анизотропных полупроводниковых пленок // Изв. вузов. Электроника. – 2006. – №4. – С. 81–87.</mixed-citation></ref><ref id="B4"><label>4.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Филиппов В.В., Бормонтов Е.Н. Особенности распределения электрических полей в пластинах анизотропных полупроводников в поперечном магнитном поле // Физика и техника полупроводников. – 2013. – Т. 47. – Вып. 7. – С. 874–881.</mixed-citation></ref><ref id="B5"><label>5.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Маренкин С.Ф., Раухман А.М., Пищиков Д.И. Электрические и оптические свойства диарсенидов кадмия и цинка // Неорганические материалы. – 1992. – Т. 28. – № 9. – С. 1813–1828.</mixed-citation></ref><ref id="B6"><label>6.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Маренкин С.Ф., Раухман А.М., Лазарев В.Б. Анизотропия электрических свойств монокристаллов CdAs2 // Неорганические материалы. – 1989. – Т. 25. – №8. – С. 1240–1243.</mixed-citation></ref><ref id="B7"><label>7.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Поляков Н.Н., Заворотний А.А., Филиппов В.В. Об измерении коэффициента Холла и электропроводности полупроводников зондовым методом // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. – 2014. – Т. 80. – № 6. – С. 41–44.</mixed-citation></ref></ref-list>    
  </back>
</article>
