1561-5405 10.24151/1561-5405 Proceedings of Universities. Electronics Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics" Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника» 1561-5405 2587-9960 National Research University of Electronic Technology Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" 10338302621.3.049.774Фундаментальные исследованияInvestigation of Carrier Transport in Connected Quantum WellsИсследование транспорта носителей заряда в связанных квантовых областяхКоноплёв Борис Георгиевич КоноплёвБорис Георгиевич GeorgievichKonoplyev BorisKonoplyev Boris GeorgievichРындин Евгений Адальбертович РындинЕвгений Адальбертович AdalbertovichRyndin EvgeniyRyndin Evgeniy AdalbertovichЮжный федеральный университет, г. Таганрог, Россия1422http://ivuz-e.ru/issues/2-_2008/issledovanie_transporta_nositeley_zaryada_v_svyazannykh_kvantovykh_oblastyakh/

Some peculiarities of the controlled rearrangement of charge carriers in the nanostructures based on the tunnel-connected quantum regions, formed by GaAs/AlGaAs heterojunctions, have been considered. The results of numerical modeling of the wave function rearrangement dynamics have been discussed.

Рассмотрены особенности управляемой передислокации носителей заряда в наноструктурах на основе туннельно-связанных квантовых областей, образованных гетеропереходами GaAs/AlGaAs. Обсуждаются результаты численного моделирования динамики управляемой туннельной передислокации максимума амплитуды волновых функций носителей.

Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки РФ (шифр «2007-3-1.3-11-03-005»). Sakaki H. Velocity-modulation transistor (VMT) - a new field-effect transistor concept // Jpn. J. Appl. Phys. - 1982. - Vol. 21, № 6. - P. L381-L383Inoue K., Sakaki H., Yoshino J., Hotta T. Self-consistent calculation of electronic states in AlGaAs/GaAs/AlGaAs selectively doped double heterojunction systems under electric fields // J. Appl. Phys. - 1985. - Vol. 58, № 11. - P. 4277-4281.Gorbatsevich A.A., Kapaev V.V., Kopaev Yu.V., Kremlev V.Ya. Wave-function-rearrangement quantum devices // Phys. Low-Dim. Struct. - 1994. - № 4/5. - P. 57-62.Горбацевич А.А., Капаев В.В., Копаев Ю.В. Управляемая эволюция электронных состояний в наноструктурах // ЖЭТФ. - 1995. - Т. 107. - Вып. 4. - С. 1320-1349.Коноплев Б.Г., Рындин Е.А. Интегральные логические элементы на основе туннельно-связанных наноструктур // Изв. вузов. Электроника. - 2006. - № 3. - С. 18-26.Мнацаканов Т.Т., Левинштейн М.Е., Поморцева Л.И., Юрков С.Н. Универсальный метод аналитической аппроксимации подвижности основных носителей заряда в полупроводниках в широком диапазоне температур и уровней легирования // Физика и техника полупроводников. - 2004. - Т. 38. - Вып. 1. - С. 56-60.Heiblum M., Mendez E.E., Stern F. High mobility electron gas in selectively-doped n: AlGaAs/GaAs heterojunctions // Appl. Phys. Lett. - 1984. - Vol. 44, N 11. - P. 1064-1066.