1561-5405 10.24151/1561-5405 Proceedings of Universities. Electronics Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics" Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника» 1561-5405 2587-9960 National Research University of Electronic Technology Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" 10.24151/1561-5405-2023-28-1-88-95538.935:621.382.322Элементы интегральной электроникиПереключение проводимости в латеральных каналах на основе максенов Ti3C2TxНекрасов Никита ПетровичНекрасовНикита ПетровичНеволин Владимир КирилловичНеволинВладимир КирилловичБобринецкий Иван ИвановичБобринецкийИван ИвановичНациональный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия8895http://ivuz-e.ru/issues/1-_2023/pereklyuchenie_provodimosti_v_lateralnykh_kanalakh_na_osnove_maksenov_ti3c2tx/

В настоящее время слоистые материалы на основе карбидов или нитридов переходных металлов – максены – продемонстрировали свои уникальные свойства в оптике, электронике и фотонике. Создание элементов с нейроморфными свойствами – пер-спективное направление в данных областях. В работе рассмотрен мемристивный эффект в латеральных структурах на основе максенов типа Ti3C2Tx. Экспериментально исследовано управление формированием нескольких токовых состояний в проводимости канала на основе максенов в зависимости от приложенной разности потенциалов. Структура на основе максенов представляет собой нанесенный осаждением из раствора пленочный слой максена Ti3C2Tx между сформированными на поверхности канала золотыми электродами на кремниевой подложке с оксидом кремния толщиной 200 нм. Полученные образцы проанализированы с помощью методов атомно-силовой микроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния. Установлено, что в данных структурах можно формировать заданный уровень проводимости в зависимости от приложенного электрического поля. Наблюдаемое изменение отношения проводимости составляет два порядка. Проводимость в структурах на основе максенов определяется ловушечными состояниями в канале и сохраняется более 5 мин.

мемристивный эффектдвумерные материалымаксенуправление проводимостьюдвумерный каналработа выполнена при финансовой поддержке РНФ (проект № 19-19-00401). Благодарности: авторы выражают благодарность Дмитрию Кирееву (Университет Теха-са, г. Остин, США) за предоставленные структуры максенов и обсуждение результатов. Emerging MXenes for functional memories / Y. Gong, X. Xing, Y. Wang et al. // Small Science. 2021. Vol. 1. Iss. 9. Art. ID: 2100006. https://doi.org/10.1002/smsc.202100006Wang K., Chen J., Yan X. MXene Ti3C2 memristor for neuromorphic behavior and de-cimal arithmetic operation applications // Nano Energy. 2021. Vol. 79. Art. No. 105453. https://doi.org/10.1016/j.nanoen.2020.105453Ti3C2 MXenes modified with in situ grown carbon nanotubes for enhanced electromag-netic wave absorption properties / X. Li, X. Yin, M. Han et al. // J. Mater. Chem. C. 2017. Vol. 5. Iss. 16. P. 4068–4074. https://doi.org/10.1039/C6TC05226FChampagne A., Charlier J. C. Physical properties of 2D MXenes: from a theoretical per-spective // J. Phys. Mater. 2020. Vol. 3. No. 3. Art. No. 032006. https://doi.org/10.1088/2515-7639/ab97eeDynamical control over terahertz electromagnetic interference shielding with 2D Ti3C2Ty MXene by ultrafast optical pulses / G. Li, N. Amer, H. A. Hafez et al. // Nano Lett. 2019. Vol. 20. Iss. 1. P. 636–643. https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.9b04404Abujabal M., Abunahla H., Mohammad B., Alazzam A. Tunable switching behavior of GO-based memristors using thermal reduction // Nanomaterials (Basel). 2022. Vol. 12. Iss. 11. Art. No. 12111812. https://doi.org/10.3390/nano12111812A new memristor with 2D Ti3C2Tx MXene flakes as an artificial bio‐synapse / X. Yan, K. Wang, J. Zhao et al. // Small. 2019. Vol. 15. Iss. 25. Art. No. 1900107. https://doi.org/10.1002/smll.201900107