<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<article xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xmlns:ali="http://www.niso.org/schemas/ali/1.0/" article-type="research-article" dtd-version="1.2" xml:lang="en">
  <front>
    <journal-meta>
      <journal-id journal-id-type="issn">1561-5405</journal-id>
	    <journal-id journal-id-type="doi">10.24151/1561-5405</journal-id>	  
      <journal-id journal-id-type="publisher-id">Proceedings of Universities. Electronics</journal-id>
      <journal-title-group>
        <journal-title xml:lang="en">Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics"</journal-title>
        <trans-title-group xml:lang="ru">
          <trans-title>Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника»</trans-title>
        </trans-title-group>        
      </journal-title-group>      
      <issn publication-format="print">1561-5405</issn>
      <issn publication-format="online">2587-9960</issn>
      <publisher>
        <publisher-name xml:lang="en">National Research University of Electronic Technology</publisher-name>
        <publisher-name xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"</publisher-name>
      </publisher>
    </journal-meta>
    <article-meta>                                    
      
    <article-id pub-id-type="doi">10.24151/1561-5405-2023-28-1-88-95</article-id><article-id pub-id-type="risc">FGDBGG</article-id><article-id pub-id-type="udk">538.935:621.382.322</article-id><article-categories><subj-group><subject>Элементы интегральной электроники</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title xml:lang="en">Conductivity switching in lateral channels based on MXene Ti3C2Tx</article-title><trans-title-group xml:lang="ru"><trans-title>Переключение проводимости в латеральных каналах на основе максенов Ti3C2Tx</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Якунина Наталья Викторовна</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Якунина</surname><given-names>Наталья Викторовна</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Yakunina</surname><given-names>Natalia V.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Natalia V. Yakunina</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Некрасов Никита Петрович</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Некрасов</surname><given-names>Никита Петрович</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Nekrasov</surname><given-names>Nikita P.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Nikita P. Nekrasov</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Неволин Владимир Кириллович</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Неволин</surname><given-names>Владимир Кириллович</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Nevolin</surname><given-names>Vladimir K.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Vladimir K. Nevolin</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Бобринецкий Иван Иванович</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Бобринецкий</surname><given-names>Иван Иванович</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Bobrinetskiy</surname><given-names>Ivan I.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Ivan I. Bobrinetskiy</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><aff id="AFF-1" xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия</aff></contrib-group><pub-date iso-8601-date="2026-04-17" date-type="pub" publication-format="electronic"><day>17</day><month>04</month><year>2026</year></pub-date><volume>Том. 28 №1</volume><fpage>88</fpage><lpage>95</lpage><self-uri>http://ivuz-e.ru/issues/1-_2023/pereklyuchenie_provodimosti_v_lateralnykh_kanalakh_na_osnove_maksenov_ti3c2tx/</self-uri><abstract xml:lang="en"><p>Nowadays, sandwich structures based on transition metal carbides or nitrides - MXenes - have demonstrated their unique characteristics in optics, electronics and photonics. Formation of elements with neuromorphic properties is a promising trend. In this work, the memristive effect in lateral structures based on MXenes Ti3C2T x is considered. The control of the formation of several current states in the conductivity of a MXene channel depending on the applied potential difference was experimentally studied. The structure is a film of MXene Ti3C2T x composition deposited by solution deposition between gold electrodes formed on the channel surface on a silicon substrate with200 nm thick silicon oxide. The obtained samples were analyzed by atomic force microscopy and Raman spectroscopy. It has been established that in these structures it is possible to form a given conductivity level, depending on the applied electric field. The observed change in the conductivity ratio is two orders of magnitude. Conductivity in structures with MXene is determined by trap states in the channel and persists for more than 5 min.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="ru"><p>В настоящее время слоистые материалы на основе карбидов или нитридов переходных металлов – максены – продемонстрировали свои уникальные свойства в оптике, электронике и фотонике. Создание элементов с нейроморфными свойствами – перспективное направление в данных областях. В работе рассмотрен мемристивный эффект в латеральных структурах на основе максенов типа Ti3C2Tx. Экспериментально исследовано управление формированием нескольких токовых состояний в проводимости канала на основе максенов в зависимости от приложенной разности потенциалов. Структура на основе максенов представляет собой нанесенный осаждением из раствора пленочный слой максена Ti3C2Tx между сформированными на поверхности канала золотыми электродами на кремниевой подложке с оксидом кремния толщиной 200 нм. Полученные образцы проанализированы с помощью методов атомно-силовой микроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния. Установлено, что в данных структурах можно формировать заданный уровень проводимости в зависимости от приложенного электрического поля. Наблюдаемое изменение отношения проводимости составляет два порядка. Проводимость в структурах на основе максенов определяется ловушечными состояниями в канале и сохраняется более 5 мин.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>мемристивный эффект</kwd><kwd>двумерные материалы</kwd><kwd>максен</kwd><kwd>управление проводимостью</kwd><kwd>двумерный канал</kwd></kwd-group><kwd-group xml:lang="en"><kwd>memristive effect</kwd><kwd>two-dimensional materials</kwd><kwd>MXene</kwd><kwd>conductivity control</kwd><kwd>two-dimensional channel</kwd></kwd-group><funding-group><funding-statement xml:lang="ru">работа выполнена при финансовой поддержке РНФ (проект № 19-19-00401). Благодарности: авторы выражают благодарность Дмитрию Кирееву (Университет Теха-са, г. Остин, США) за предоставленные структуры максенов и обсуждение результатов.</funding-statement><funding-statement xml:lang="ru">the work has been supported by the Russian Science Foundation (project No. 19-19-00401). Acknowledgments: the authors express gratitude to Dmitry Kireev (University of Texas, Austin, USA) for providing the MXene structures and discussion of the results.</funding-statement></funding-group></article-meta>
  </front>
  <body/>
  <back>
    <ref-list><ref id="B1"><label>1.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Emerging MXenes for functional memories / Y. Gong, X. Xing, Y. Wang et al. // Small Science. 2021. Vol. 1. Iss. 9. Art. ID: 2100006. https://doi.org/10.1002/smsc.202100006</mixed-citation></ref><ref id="B2"><label>2.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Wang K., Chen J., Yan X. MXene Ti3C2 memristor for neuromorphic behavior and de-cimal arithmetic operation applications // Nano Energy. 2021. Vol. 79. Art. No. 105453. https://doi.org/10.1016/j.nanoen.2020.105453</mixed-citation></ref><ref id="B3"><label>3.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Ti3C2 MXenes modified with in situ grown carbon nanotubes for enhanced electromag-netic wave absorption properties / X. Li, X. Yin, M. Han et al. // J. Mater. Chem. C. 2017. Vol. 5. Iss. 16. P. 4068–4074. https://doi.org/10.1039/C6TC05226F</mixed-citation></ref><ref id="B4"><label>4.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Champagne A., Charlier J. C. Physical properties of 2D MXenes: from a theoretical per-spective // J. Phys. Mater. 2020. Vol. 3. No. 3. Art. No. 032006. https://doi.org/10.1088/2515-7639/ab97ee</mixed-citation></ref><ref id="B5"><label>5.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Dynamical control over terahertz electromagnetic interference shielding with 2D Ti3C2Ty MXene by ultrafast optical pulses / G. Li, N. Amer, H. A. Hafez et al. // Nano Lett. 2019. Vol. 20. Iss. 1. P. 636–643. https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.9b04404</mixed-citation></ref><ref id="B6"><label>6.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Abujabal M., Abunahla H., Mohammad B., Alazzam A. Tunable switching behavior of GO-based memristors using thermal reduction // Nanomaterials (Basel). 2022. Vol. 12. Iss. 11. Art. No. 12111812. https://doi.org/10.3390/nano12111812</mixed-citation></ref><ref id="B7"><label>7.</label><mixed-citation xml:lang="ru">A new memristor with 2D Ti3C2Tx MXene flakes as an artificial bio‐synapse / X. Yan, K. Wang, J. Zhao et al. // Small. 2019. Vol. 15. Iss. 25. Art. No. 1900107. https://doi.org/10.1002/smll.201900107</mixed-citation></ref></ref-list>    
  </back>
</article>
