Исследование реакционной способности структуры por-Si/Pd по отношению к парам этанола

На сегодняшний день наиболее используемым типом сенсоров паров этанола являются резистивные газовые сенсоры на основе полупроводников. Применение в качестве чувствительной структуры пористого кремния, например por-Si/Pd, сформированной металл-стимулированным травлением, позволяет формировать чувствительный элемент и электронную обвязку в едином технологическом процессе. В работе показана возмож-ность формирования резистивных газовых сенсоров методом металл-стимулированного химического травления кремния. Сформированы экспериментальные образцы на основе пористого кремния p- и n-типа проводимости. Представлено эмпирическое объяснение механизма чувствительности к этанолу исследуемых структур. Показана возможность формирования чувствительной структуры и электронной обвязки в едином технологиче-ском процессе.
Силаков Геннадий Олегович
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия
Лазоркина Елена Николаевна
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия
Гаврилов Сергей Александрович
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия
Воловликова Ольга Вениаминовна
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия
Железнякова Анастасия Вячеславовна
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия
Дудин Александр Александрович
Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, г. Москва, Россия
Поделиться