<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<article xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xmlns:ali="http://www.niso.org/schemas/ali/1.0/" article-type="research-article" dtd-version="1.2" xml:lang="en">
  <front>
    <journal-meta>
      <journal-id journal-id-type="issn">1561-5405</journal-id>
	    <journal-id journal-id-type="doi">10.24151/1561-5405</journal-id>	  
      <journal-id journal-id-type="publisher-id">Proceedings of Universities. Electronics</journal-id>
      <journal-title-group>
        <journal-title xml:lang="en">Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics"</journal-title>
        <trans-title-group xml:lang="ru">
          <trans-title>Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника»</trans-title>
        </trans-title-group>        
      </journal-title-group>      
      <issn publication-format="print">1561-5405</issn>
      <issn publication-format="online">2587-9960</issn>
      <publisher>
        <publisher-name xml:lang="en">National Research University of Electronic Technology</publisher-name>
        <publisher-name xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"</publisher-name>
      </publisher>
    </journal-meta>
    <article-meta>                                    
      
    <article-id pub-id-type="doi">10.24151/1561-5405-2023-28-1-96-111</article-id><article-id pub-id-type="udk">621.3.049.774.3</article-id><article-categories><subj-group><subject>Интегральные радиоэлектронные устройства</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title xml:lang="en"/><trans-title-group xml:lang="ru"><trans-title>Быстродействующие широкополосные операционные усилители на базовом матричном кристалле</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Дворников Олег Владимирович</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Дворников</surname><given-names>Олег Владимирович</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Dvornikov</surname><given-names>Oleg V.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Oleg V. Dvornikov</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Чеховский Владимир Алексеевич</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Чеховский</surname><given-names>Владимир Алексеевич</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Tchekhovski</surname><given-names>Vladimir A.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Vladimir A. Tchekhovski</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-2"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Прокопенко Николай Николаевич</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Прокопенко</surname><given-names>Николай Николаевич</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Prokopenko</surname><given-names>Nikolay N.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Nikolay N. Prokopenko</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-3"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Чумаков Владислав Евгеньевич</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Чумаков</surname><given-names>Владислав Евгеньевич</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Chumakov</surname><given-names>Vladislav E.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Vladislav E. Chumakov</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-4"/></contrib><aff id="AFF-1" xml:lang="ru">ОАО «Минский научно-исследовательский приборостроительный институт», г. Минск, Беларусь</aff><aff id="AFF-2" xml:lang="ru">Белорусский государственный университет, г. Минск, Беларусь</aff><aff id="AFF-3" xml:lang="ru">Донской государственный технический университет, г. Ростов-на-Дону, Россия; Институт проблем проектирования в микроэлектронике Российской академии наук, г. Москва, Россия</aff><aff id="AFF-4" xml:lang="ru">Донской государственный технический университет, г. Ростов-на-Дону, Россия </aff></contrib-group><fpage>96</fpage><lpage>111</lpage><self-uri>http://ivuz-e.ru/issues/1-_2023/bystrodeystvuyushchie_shirokopolosnye_operatsionnye_usiliteli_na_bazovom_matrich_nom_kristalle/</self-uri><abstract xml:lang="en"><p/></abstract><trans-abstract xml:lang="ru"><p>В квантово-оптических системах, аппаратуре регистрации быстрых импульсов широко используются быстродействующие операционные усилители. Высокий уровень параметров таких изделий обеспечивается за счет применения современных техноло-гических маршрутов изготовления микросхем, содержащих комплементарные биполярные транзисторы с высокой граничной частотой и малой паразитной емкостью коллектора. В настоящее время в России и Беларуси указанные технологические маршру-ты изготовления микросхем отсутствуют. В работе для удовлетворения существующей потребности отечественного рынка радиоэлектронной аппаратуры представлены два опе-рационных усилителя на базовом матричном кристалле МН2ХА031 с унифицированными каскадами и возможностью изменения параметров с помощью выбора сопротивлений токозадающих резисторов и емкости корректирующего конденсатора. Описаны электрические схемы и приведены результаты схемотехнического моделирования двух изделий: быстродействующего операционного усилителя OAmp9 с произведением коэффициента усиления напряжения на ширину полосы пропускания &amp;#40;gain bandwidth product&amp;#41; более 600 МГц, скоростью нарастания выходного напряжения более 400 В/мкс при статических параметрах, соответствующих операционным усилителям общего применения, и прецизионного малошумящего усилителя OAmp10 с усилением около 2·106, напряжением смещения менее 50 мкВ и спектральной плотностью напряжения шума, отнесенной ко входу, около 1 нВ/Гц0,5. Сформулированы направления дальнейшей модернизации разработанных усилителей, в частности уменьшение паразитной коллекторной емкости транзисторов конструктивно-технологическим путем и подачей обратного напряжения смещения, применение нелинейных корректирующих цепей, позволяющих приблизить быстродействие усилителей в режиме большого сигнала к малосигнальному.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>быстродействующий операционный усилитель</kwd><kwd>прецизионный операционный усилитель</kwd><kwd>базовый матричный кристалл</kwd><kwd>комплементарные биполярные транзисторы</kwd></kwd-group><funding-group><funding-statement xml:lang="ru">работа выполнена при финансовой поддержке РНФ (проект № 22-29-00637).</funding-statement></funding-group></article-meta>
  </front>
  <body/>
  <back>
    <ref-list><ref id="B1"><label>1.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Smith D., Koen M., Witulski A. F. Evolution of high-speed operational amplifier archi-tectures // IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1994. Vol. 29. Iss. 10. P. 1166–1179. https://doi.org/10.1109/4.315199</mixed-citation></ref><ref id="B2"><label>2.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Bowers D. F., Wurcer S. A. Recent developments in bipolar operational amplifiers // Pro-ceedings of the 1999 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (Cat. No. 99CH37024). Minneapolis, MN: IEEE, 1999. P. 38–45. https://doi.org/10.1109/BIPOL.1999.803521</mixed-citation></ref><ref id="B3"><label>3.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Close J. High speed op amps: performance, process and topologies // 2012 IEEE Bipo-lar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM). Portland, OR: IEEE, 2012. P. 1–8. https://doi.org/10.1109/BCTM.2012.6352648</mixed-citation></ref><ref id="B4"><label>4.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Bowers D. F. A precision dual “current feedback” operational amplifier // Proceedings of the 1988 Bipolar Circuits and Technology Meeting. Minneapolis, MN: IEEE, 1988. P. 68–70. https://doi.org/10.1109/BIPOL.1988.51047</mixed-citation></ref><ref id="B5"><label>5.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Bowers D. F. A 6.8 mA closed-loop monolithic buffer with 120 MHz bandwidth, 4000 V//spl mu/S slew rate and /spl plusmn/12 V signal compatibility // Proceedings of IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting. Minneapolis, MN: IEEE, 1994. P. 23–26. https://doi.org/10.1109/BIPOL.1994.587846</mixed-citation></ref><ref id="B6"><label>6.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Bales J. A low-power, high-speed, current-feedback op-amp with a novel Class AB high current output stage // IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1997. Vol. 32. Iss. 9. P. 1470–1474. https://doi.org/10.1109/4.628768</mixed-citation></ref><ref id="B7"><label>7.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Bowers D. F. A fast precision operational amplifier featuring two separate control loops // 2014 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM). Coronado, CA: IEEE, 2014. P. 72–75. https://doi.org/10.1109/BCTM.2014.6981288</mixed-citation></ref><ref id="B8"><label>8.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Прокопенко Н. Н., Дворников О. В., Бугакова А. В. Проектирование низкотемпера-турных и радиационно-стойких аналоговых микросхем для обработки сигналов датчиков: монография. М.: СОЛОН-Пресс, 2021. 200 с.</mixed-citation></ref><ref id="B9"><label>9.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Проектирование аналоговых микросхем для экстремальных условий эксплуатации на основе базового матричного кристалла МН2ХА031 / О. В. Дворников, В. А. Чеховский, Н. Н. Прокопенко и др. // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2021. № 2. С. 37–46. https://doi.org/10.31114/2078-7707-2021-2-37-46</mixed-citation></ref><ref id="B10"><label>10.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Радиационно стойкие компоненты полузаказных аналоговых микросхем / О. В. Дворников, В. А. Чеховский, Н. Н. Прокопенко и др. // Изв. вузов. Электроника. 2022. Т. 27. № 3. С. 308–321. https://doi.org/10.24151/1561-5405-2022-27-3-308-321</mixed-citation></ref><ref id="B11"><label>11.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Koen M., Smith D., Damitio P. A very high speed operational amplifier array // 1993 Proceedings of IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting. Minneapolis, MN: IEEE, 1993. P. 153–156. https://doi.org/10.1109/BIPOL.1993.617488</mixed-citation></ref><ref id="B12"><label>12.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Analog devices: ultralow distortion, ultralow noise op amp AD797 // Datasheetspdf [Электронный ресурс]. URL: https://datasheetspdf.com/pdf-file/1186795/AnalogDevices/AD797/1 (дата обращения: 30.11.2022).</mixed-citation></ref><ref id="B13"><label>13.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Moraveji F. A wide-band, low-power, high slew rate voltage-feedback operational am-plifier // IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1996. Vol. 31. Iss. 1. P. 10–16. https://doi.org/10.1109/4.485839</mixed-citation></ref><ref id="B14"><label>14.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Дворников О. В. Схемотехника биполярно-полевых аналоговых микросхем. Ч. 3: Источники тока, управляемые током с нерегулируемым коэффициентом передачи // Chip News: Инженерная микроэлектроника. 2005. № 1. С. 12–15.</mixed-citation></ref><ref id="B15"><label>15.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Пат. 2168263 РФ. Повторитель напряжения / И. Е. Старченко; заявл. 25.04.2000, опубл. 27.05.2001.</mixed-citation></ref><ref id="B16"><label>16.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Дворников О. В. Схемотехника биполярно-полевых аналоговых микросхем. Ч. 7: Интегральные дифференциальные каскады // Chip News: Инженерная микроэлектроника. 2005. № 8. С. 38–47.</mixed-citation></ref><ref id="B17"><label>17.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Прокопенко Н. Н. Нелинейная активная коррекция в прецизионных аналоговых микросхемах: монография. Ростов н/Д: Изд-во СКНЦ ВШ, 2000. 223 с.</mixed-citation></ref></ref-list>    
  </back>
</article>
