<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<article xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xmlns:ali="http://www.niso.org/schemas/ali/1.0/" article-type="research-article" dtd-version="1.2" xml:lang="en">
  <front>
    <journal-meta>
      <journal-id journal-id-type="issn">1561-5405</journal-id>
	    <journal-id journal-id-type="doi">10.24151/1561-5405</journal-id>	  
      <journal-id journal-id-type="publisher-id">Proceedings of Universities. Electronics</journal-id>
      <journal-title-group>
        <journal-title xml:lang="en">Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics"</journal-title>
        <trans-title-group xml:lang="ru">
          <trans-title>Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника»</trans-title>
        </trans-title-group>        
      </journal-title-group>      
      <issn publication-format="print">1561-5405</issn>
      <issn publication-format="online">2587-9960</issn>
      <publisher>
        <publisher-name xml:lang="en">National Research University of Electronic Technology</publisher-name>
        <publisher-name xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"</publisher-name>
      </publisher>
    </journal-meta>
    <article-meta>                                    
      
    <article-id pub-id-type="doi">10.24151/1561-5405-2022-27-1-7-18</article-id><article-id pub-id-type="udk">[621.315.5:537.311/.312]:001.891.57</article-id><article-categories><subj-group><subject>Mатериалы электроники</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title xml:lang="en">Simulation of dielectric characteristics of syntactic materials</article-title><trans-title-group xml:lang="ru"><trans-title>Моделирование диэлектрических характеристик синтактных материалов</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Лавров Игорь Викторович</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Лавров</surname><given-names>Игорь Викторович</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Lavrov</surname><given-names>Igor V.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Igor V. Lavrov</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Бардушкин Владимир Валентинович</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Бардушкин</surname><given-names>Владимир Валентинович</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Bardushkin</surname><given-names>Vladimir V.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Vladimir V. Bardushkin</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Яковлев Виктор Борисович</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Яковлев</surname><given-names>Виктор Борисович</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Yakovlev</surname><given-names>Viktor B.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Viktor B. Yakovlev</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-2"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Бардушкин Андрей Владимирович</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Бардушкин</surname><given-names>Андрей Владимирович</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Bardushkin</surname><given-names>Andrey V.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Andrey V. Bardushkin</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-3"/></contrib><aff id="AFF-1" xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия</aff><aff id="AFF-2" xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия; Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, г. Москва, Россия</aff><aff id="AFF-3" xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия; ООО «Альфачип», г. Москва, Россия</aff></contrib-group><fpage>7</fpage><lpage>18</lpage><self-uri>http://ivuz-e.ru/issues/1-_2022/modelirovanie_dielektricheskikh_kharakteristik_sintaktnykh_materialov/</self-uri><abstract xml:lang="en"><p>Syntactic materials (spheroplastics) having low density due to structural features, depending on the material of the microsphere walls can have a sufficiently high strength and low thermal conductivity, which makes them promising for use as heat insulation materials. By selecting the material of the microsphere walls and the concentration of the components of the spheroplastics, their dielectric characteristics can be significantly changed. In this work, the task of modeling the effective dielectric characteristics of a syntactic material with a polymer binder and filler in the form of hollow glass microspheres is considered, taking into account the presence of technological impurities in the material. A model for calculating the effective permittivity of a sample of a syntactic material was proposed, based on a model of a matrix composite with several types of inhomogeneous or homogeneous inclusions. To calculate, a generalized effective-field approximation for a heterogeneous medium with coated inclusions was used. Model calculations were carried out for syntactic foam with an organosilicon binder polydimethylsiloxane and hollow microspheres with E-glass shell with some moisture presence in the material. Frequency dielectric characteristics of this material were obtained in the range of 10-10 Hz. It has been shown that an increase in the volume fraction of hollow microspheres leads to a decrease in the dielectric constant and the tangent of the dielectric loss angle. It has also been shown that the calculated values are in satisfactory accordance with the experimental data obtained at an electromagnetic field frequency of 9.8 GHz.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="ru"><p>Синтактные материалы &amp;#40;сферопластики&amp;#41;, в силу структурных особенностей характеризующиеся низкой плотностью, в зависимости от материала стенок микросфер могут иметь достаточно высокую прочность и низкую теплопроводность, что делает их перспективными для использования в качестве теплоизоляционных материалов. Подбором материала стенок микросфер и концентрации компонентов сферопластиков можно существенно изменять их диэлектрические характеристики. В работе рассмотрена задача моделирования эффективных диэлектрических характеристик синтактного материала с полимерным связующим и наполнителем в виде полых стеклянных микросфер с учетом наличия в материале технологических примесей. Предложена модель для вычисления эффективной диэлектрической проницаемости образца синтактного материала, основанная на модели матричного композита с несколькими видами неоднородных или однородных включений. Для вычисления применяется обобщенное приближение эффективного поля для неоднородной среды с включениями с оболочкой. Проведены модельные расчеты для синтактической пены с кремнийорганическим связующим полидиметилсилоксаном и полыми микросферами с оболочкой из Е-стекла при наличии в материале некоторого количества влаги. Получены частотные диэлектрические характеристики данного материала в диапазоне 10-10 Гц. Показано, что увеличение объемной доли полых микросфер приводит к уменьшению диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь. Также показано, что расчетные значения находятся в удовлетворительном соответствии с экспериментальными данными, полученными при частоте электромагнитного поля 9,8 ГГц.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>эффективная диэлектрическая проницаемость</kwd><kwd>синтактный материал</kwd><kwd>матричный композит</kwd><kwd>включение</kwd><kwd>обобщенное приближение эффективного поля</kwd><kwd>обобщенное приближение Максвелла Гарнетта</kwd></kwd-group><funding-group><funding-statement xml:lang="ru">работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (грант 20-08-00155-а).</funding-statement></funding-group></article-meta>
  </front>
  <body/>
  <back>
    <ref-list><ref id="B1"><label>1.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Чухланов В. Ю., Панов Ю. Т., Синявин А. В., Ермолаева Е. В. Газонаполненные пластмассы. Владимир: Изд-во Владим. гос. ун-та, 2008. 152 с.</mixed-citation></ref><ref id="B2"><label>2.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Чухланов В. Ю., Селиванов О. Г. Исследование диэлектрических свойств синтак-тических пен на основе кремнийорганического связующего // Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований. 2014. № 8-1. С. 26–29.</mixed-citation></ref><ref id="B3"><label>3.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Михайлов В. А. Синтактные материалы с высокими диэлектрическими свойствами на основе кремнийорганического полимера // Успехи современного естествознания. 2015. № 12. С. 47–50.</mixed-citation></ref><ref id="B4"><label>4.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Зарубин В. С., Кувыркин Г. Н., Савельева И. Ю. Оценки диэлектрической прони-цаемости сферопластика // Радиооптика. МГТУ им. Н. Э. Баумана. Электрон. журн. 2016. № 3. С. 29–46. doi: https://doi.org/10.7463/rdopt.0316.0846170</mixed-citation></ref><ref id="B5"><label>5.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Сферопластики как термоизолирующие защитные материалы промышленного на-значения / Т. В. Яковенко, Г. К. Яруллина, И. В. Гарустович и др. // Успехи в химии и химической технологии. 2016. Т. 30. № 8 (177). С. 71–73.</mixed-citation></ref><ref id="B6"><label>6.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Трофимов А. Н. Высокотехнологичные эпоксидные связующие, полимерные ком-позиты и инновационные технологии получения радиопрозрачных изделий специального назначения из конструкционных стеклопластиков: дис. … д-ра техн. наук. М., 2018. 305 с.</mixed-citation></ref><ref id="B7"><label>7.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Bowler N. Designing dielectric loss at microwave frequencies using multi-layered filler particles in a composite // IEEE Trans. Dielectr. Electr. Insul. 2006. Vol. 13. No. 4. P. 703–711. doi: https://doi.org/10.1109/TDEI.2006.1667727</mixed-citation></ref><ref id="B8"><label>8.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Обобщенное приближение эффективного поля для неоднородной среды с включе-ниями в оболочке / В. И. Колесников, В. В. Бардушкин, И. В. Лавров и др. // Докл. Ака-демии наук. 2017. Т. 476. № 3. С. 280–284. doi: https://doi.org/10.7868/S0869565217270081</mixed-citation></ref><ref id="B9"><label>9.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Фокин А. Г. О границах для эффективной диэлектрической проницаемости неоднородных материалов // ЖТФ. 1973. Т. 43. № 1. С. 71–77.</mixed-citation></ref><ref id="B10"><label>10.</label><mixed-citation xml:lang="ru">О вычислении эффективной теплопроводности текстурированных матричных композитов с высокой объемной долей включений / И. В. Лавров, В. В. Бардушкин, А. П. Сычев и др. // Экологический вестник научных центров Черноморского экономиче-ского сотрудничества. 2018. Т. 15. № 3. С. 92–101. doi: https://doi.org/10.31429/vestnik-15-3-92-101</mixed-citation></ref><ref id="B11"><label>11.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Борен К., Хафмен Д. Поглощение и рассеяние света малыми частицами. М.: Мир, 1986. 660 с.</mixed-citation></ref><ref id="B12"><label>12.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Физика композиционных материалов: в 2 т. / Н. Н. Трофимов, М. З. Канович, Э. М. Карташов и др.; под ред. Н. Н. Трофимова. Т. 2. М.: Мир, 2005. 344 с.</mixed-citation></ref><ref id="B13"><label>13.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Путинцев Н. М., Путинцев Д. Н. Классическая теория поляризации молекуляр-ных систем. М.: Физматлит, 2011. 176 с.</mixed-citation></ref><ref id="B14"><label>14.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Эйзенберг Д., Кауцман В. Структура и свойства воды / пер. с англ. А. К. Шемелина. Л.: Гидрометеоиздат, 1975. 280 с.</mixed-citation></ref><ref id="B15"><label>15.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Обобщенное приближение Максвелла Гарнетта для текстурированных матричных композитов с включениями в оболочке / В. И. Колесников, И. В. Лавров, В. В. Бардушкин и др. // Докл. Российской академии наук. Физика, технические науки. 2021. Т. 498. № 1. С. 11–16. doi: https://doi.org/10.31857/S268674002103010X</mixed-citation></ref></ref-list>    
  </back>
</article>
