Во многих радиотехнических системах нашли широкое применение СВЧ-усилители мощности на основе монолитных интегральных схем, особенно в выходных усилителях мощности (ВУМ) приемо-передающих модулей АФАР. Показано, что выборочные распределения субмодулей ВУМ приемо-передающих модулей АФАР Х-диапазона по минимальной и максимальной выходной мощности и по максимальному коэффициенту стоячей волны имеют двухмодальный характер, что свидетельствует о наличии превалирующих факторов качества сборки, приводящих к появлению второй моды. Распределение субмодулей ВУМ по минимальному коэффициенту стоячей волны близко по виду к экспоненциальному закону распределения, а по току потребления - к нормальному закону распределения с малым относительным среднеквадратическим отклонением. Отсутствие значимой корреляции между значением потребляемого тока и уровнем минимальной выходной мощности означает, что разброс по уровню минимальной выходной мощности определяется качеством сборки ВУМ, а не качеством монолитных интегральных схем. Близкий к нормальному закону вид распределения ВУМ по току потребления и небольшое относительное значение среднеквадратического отклонения свидетельствуют о достаточно высокой однородности выборки субмодулей по качеству монолитных интегральных схем.
Сергеев Вячеслав Андреевич
Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, г. Ульяновск, Россия; Ульяновский государственный технический университет, г. Ульяновск, Россия
Тарасов Руслан Геннадьевич
Ульяновский государственный технический университет, г. Ульяновск, Россия; АО «НПП «Завод Искра» , г. Ульяновск, Россия
Куликов Александр Александрович
Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А.Котельникова Российской академии наук, г. Ульяновск, Россия
1. Викулов И. Монолитные интегральные схемы СВЧ // Электроника: Наука. Техно-логия. Бизнес. – 2012. – № 7. – С. 60–73.
2. Приемо-передающий субмодуль Х-диапазона частот / Г.Я. Красников, А.В. Воло-сов, Е.Ю. Котляров и др. // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. – 2016. – №3. – С. 23–29.
3. Сергеев В.А. Характеристики и особенности выборочных распределений мощных биполярных транзисторов по теплофизическим параметрам // Известия Самарского науч-ного центра РАН. – 2004. – № 1. – С. 154–160.
4. Сергеев В.А., Тарасов Р. Г. Куликов А.А. Диагностика качества сборки выходных усилителей приемо-передающих модулей АФАР методами ИК-микроскопии // Фундаментальные проблемы радиоэлектроного приборостроения. – 2016. – Т.16. – №4. – С. 192–193.
5. Езопов А.В., Коломейцев В.А. Электромагнитное взаимодействие компонентов приемного и передающего каналов в приемо-передающих модулях АФАР Х-диапазона // Вестник Саратовского технического университета. – 2011. – № 2 (55). – Вып. 1. – С. 17–21.
6. Королюк В.С., Портенко Н.И., Скороход А.В., Турбин А.Ф. Справочник по теории вероятностей и математической статистике. – М.: Наука, 1985. – 640 с.
7. Sato H., Ikota M., Sugimoto A., Masuda H. A new defect distribution metrology with a consistent discrete exponential formula and its applications // IEEE Transaction Semiconductors Manufacturing. – 1999. –Vol. 12. – No. 4. – P. 409.