<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<article xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xmlns:ali="http://www.niso.org/schemas/ali/1.0/" article-type="research-article" dtd-version="1.2" xml:lang="en">
  <front>
    <journal-meta>
      <journal-id journal-id-type="issn">1561-5405</journal-id>
	    <journal-id journal-id-type="doi">10.24151/1561-5405</journal-id>	  
      <journal-id journal-id-type="publisher-id">Proceedings of Universities. Electronics</journal-id>
      <journal-title-group>
        <journal-title xml:lang="en">Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics"</journal-title>
        <trans-title-group xml:lang="ru">
          <trans-title>Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника»</trans-title>
        </trans-title-group>        
      </journal-title-group>      
      <issn publication-format="print">1561-5405</issn>
      <issn publication-format="online">2587-9960</issn>
      <publisher>
        <publisher-name xml:lang="en">National Research University of Electronic Technology</publisher-name>
        <publisher-name xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"</publisher-name>
      </publisher>
    </journal-meta>
    <article-meta>                                    
      
    <article-id pub-id-type="udk">681.518.3</article-id><article-categories><subj-group><subject>Краткие сообщения</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title xml:lang="en">Estimation of Quality of Heterojunction LEDs by Threshold Current Level</article-title><trans-title-group xml:lang="ru"><trans-title>Оценка качества гетеропереходных светодиодов по уровню порогового тока</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Сергеев Вячеслав Андреевич</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Сергеев</surname><given-names>Вячеслав Андреевич</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Sergeev</surname><given-names>Vyacheslav A.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Vyacheslav A. Sergeev</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Радаев Олег Александрович</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Радаев</surname><given-names>Олег Александрович</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Radaev</surname><given-names>Oleg A.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Oleg A. Radaev</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-2"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Фролов Илья Владимирович</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Фролов</surname><given-names>Илья Владимирович</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Frolov</surname><given-names>Ilya V.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Ilya V. Frolov</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-3"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Черторийский Алексей Аркадьевич </string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Черторийский</surname><given-names>Алексей Аркадьевич </given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Arkadevich</surname><given-names>Chertoriyskiy Aleksey</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Chertoriyskiy Aleksey Arkadevich</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-2"/></contrib><aff id="AFF-1" xml:lang="ru">Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, г. Ульяновск, Россия; Ульяновский государственный технический университет, г. Ульяновск, Россия</aff><aff id="AFF-2" xml:lang="ru">Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, г. Ульяновск, Россия; Ульяновский государственный технический университет, г. Ульяновск, Россия.</aff><aff id="AFF-3" xml:lang="ru">Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельни-кова Российской академии наук, г. Ульяновск, Россия</aff></contrib-group><fpage>92</fpage><lpage>94</lpage><self-uri>http://ivuz-e.ru/issues/1-_2017/otsenka_kachestva_geteroperekhodnykh_svetodiodov_po_urovnyu_porogovogo_toka/</self-uri><self-uri content-type="pdf">http://ivuz-e.ru/download/1_2017_1403.pdf</self-uri><abstract xml:lang="en"><p>The possibility of evaluating the quality of heterojunction LEDs by the level of the threshold current (glow current start) has been considered. The block diagram of the setup operation of measuring the LEDs threshold current has been presented. The principle of the setup operation is to specify the linearly increasing current through the LED by the precision source, to measure the signal proportional to the LED optical radiation power by the highly sensitive photodetector based on the high-speed photodiode and low-noise transimpedance amplifier and to compute the value of the threshold current in the Mathcad program. The results of the sample measurements of the threshold current of various types of LEDs, illustrating a wide variation of parameters of the sampling distribution of LEDs by the level of the threshold current, have been presented.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="ru"><p>Рассмотрена возможность оценки качества гетеропереходных светодиодов по уровню порогового тока &amp;#40;тока начала свечения&amp;#41;. Представлена структурная схема экспериментальной установки для измерения порогового тока светодиодов. Принцип работы установки заключается в задании прецизионным источником линейно нарастающего тока через светодиод, регистрации сигнала, пропорционального мощности излучения светодиода, высокочувствительным фотоприемником на основе быстродействующего фотодиода и малошумящего трансимпедансного усилителя, а также в вычислении значения порогового тока в программной среде Mathcad. Приведены результаты выборочных измерений порогового тока коммерческих светодиодов различных типов, иллюстрирующие широкий разброс параметров распределений светодиодов по уровню порогового тока.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>светоизлучающие диоды</kwd><kwd>пороговый ток</kwd><kwd>оценка качества</kwd></kwd-group><funding-group/></article-meta>
  </front>
  <body/>
  <back>
    <ref-list><ref id="B1"><label>1.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Особенности рекомбинационных процессов в светодиодах на основе InGaN/GaN при больших плотностях инжекционного тока / Н.С. Аверкиев, М.Е. Левинштейн, П.В. Петров и др. // Письма в ЖТФ. – 2009. – Т. 35. – Вып. 19. – С. 97.</mixed-citation></ref><ref id="B2"><label>2.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Шуберт Ф. Светодиоды: пер. с англ. под ред. А. Э. Юновича. – М.: Физматлит, 2008. – 496 с.</mixed-citation></ref><ref id="B3"><label>3.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Сергеев В.А., Фролов И.В., Широков А.А., Радаев О.А. Связь между значением порогового тока и внешней квантовой эффективностью зеленых InGaN светодиодов // Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика: тез. докл. X Всерос. конф. молодых ученых. – Саратов: Техно-Декор, 2015. – С. 178–179.</mixed-citation></ref><ref id="B4"><label>4.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Radaev О.А., Sergeev V.A., Frolov I.V. Evaluation of the quality of green InGaN LEDs by values of the threshold current // J. of Physics: Conference Series. – 2016. – Vol. 741. – P. 012087.</mixed-citation></ref><ref id="B5"><label>5.</label><mixed-citation xml:lang="ru">http://www.tek.com/sites/tek.com/files/media/media/resources/2280S%20DataSheet_0.pdf (дата обращения: 15.06.2016).</mixed-citation></ref><ref id="B6"><label>6.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Гурвич А.К., Ермолов И.Н., Сажин С.Г. Неразрушающий контроль / Под ред. В.В. Сухорукова. Кн. 1. Общие вопросы. Контроль проникающими веществами. – М.: Высшая школа, 1992. – 242 с.</mixed-citation></ref></ref-list>    
  </back>
</article>
