Представлены результаты исследования зависимости электрических характеристик полевого датчика Холла, сформированного на основе КНИ-структуры, от технологических параметров его изготовления. Проведено моделирование технологического маршрута формирования магниточувствительной структуры, представляющей собой полевой датчик Холла на основе МОП-транзистора в КНИ-структуре (ПДХ-КНИ). Рассчитаны электрические характеристики и проведены исследования влияния технологических параметров формирования на вольт-амперные характеристики и чувствительность структуры ПДХ-КНИ.
-
Ключевые слова:
магниточувствительный элемент, датчик Холла, МОП-транзистор, кремний на изоляторе (КНИ), технология, моделирование, magneto-sensitive element, Hall sensor, MOS transistor, silicon-on-isolator (SOI), technology, optimization
-
Библиографическая ссылка: