Технология формирования и электрические характеристики полевого датчика Холла на основе КНИ-структуры

Технология формирования и электрические характеристики полевого датчика Холла на основе КНИ-структуры

Представлены результаты исследования зависимости электрических характеристик полевого датчика Холла, сформированного на основе КНИ-структуры, от технологических параметров его изготовления. Проведено моделирование технологического маршрута формирования магниточувствительной структуры, представляющей собой полевой датчик Холла на основе МОП-транзистора в КНИ-структуре (ПДХ-КНИ). Рассчитаны электрические характеристики и проведены исследования влияния технологических параметров формирования на вольт-амперные характеристики и чувствительность структуры ПДХ-КНИ.
Леонид Николаевич Долгий
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Иван Юрьевич Ловшенко
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Владислав Викторович Нелаев
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Поделиться