1561-5405 10.24151/1561-5405 Proceedings of Universities. Electronics Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics" Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника» 1561-5405 2587-9960 National Research University of Electronic Technology Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" 9919007621.382.049.77Микроэлектронные приборы и системыCalculation of Constructive Parameters and Electric Potential of "Three-Diode" Vertical Integrated Spectrum-Selective PhotocellРасчет конструктивных параметров и электрического потенциала трехдиодной вертикально интегрированной спектрально-селективной фотоячейкиИгнатьева Елена АлександровнаИгнатьеваЕлена АлександровнаElenaAleksandrovna IgnatevaAleksandrovna Ignateva ElenaУздовский Валерий Владимирович УздовскийВалерий Владимирович VladimirovichUzdovskiy ValeriyUzdovskiy Valeriy VladimirovichХайновский Владимир Иванович ХайновскийВладимир Иванович IvanovichKhaynovskiy VladimirKhaynovskiy Vladimir IvanovichНациональный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия3542http://ivuz-e.ru/issues/1-_2008/raschet_konstruktivnykh_parametrov_i_elektricheskogo_potentsiala_trekhdiodnoy_vertikalno_integrirova/

The numerical simulation of the vertically integrated photosensitive cell, intended for the matrix spectrum-selective photoelectric image converter, has been carried out. The constructive parameters and control voltages of the photocell as well as the electric potential distributions have been investigated. The surface concentrations of the accumulated photo carriers and the thermal relaxation times of the photocell p-n-p-n structure have been calculated.

Проведен математический анализ вертикально интегрированной фоточувствительной ячейки, предназначенной для матричного спектральноселективного фотоэлектрического преобразователя изображений. Исследованы конструктивные параметры и управляющие напряжения фотоячейки, а также распределения электрического потенциала. Рассчитаны поверхностные концентрации накапливаемых фотоносителей и время терморелаксации p-n-p-n-структуры фотоячейки.

 Pat. № 5,969,875 US, Int.Cl. G01J 3/50, U.S.Cl. 250/226. Color separation in an active pixel cell imaging array using a triple-well-structure / R.B Merrill. - 1999.Barsan R. Characteristics of the overlaid charge-coupled device // IEEE Transactions on Electron Devices. - 1979. - Vol. ED-26, № 2. - P. 123-131.Khainovskii V.I., Uzdovskii V.V. Theoretical and experimental study of photoelectric characteristics of the two-channel bulk charge-coupled device // Optical Engineering. - 1994. - Vol. 33, № 7, July. - P. 2352-2356.Khainovskii V.I., Uzdovskii V.V. Photoelectrical characteristics of the spectrozonal two-channel bulk charge coupled device // Proc. 40-th Int. Symp. Opt. Eng. Inst. (San Diego, 13-14 July, California, USA. - 1995. - Vol. 2551. - P. 189-196.Khainovskii V.I., Uzdovskii V.V. Numerical simulation of photoelectrical characteristics of the spectrozonal three-channel bulk charge coupled device // Optical Engineering. - 1997. - Vol. 36, June. - P. 1678-1684.Хайновский В.И., Уздовский В.В., Гордо Н.М. Многофункциональные спектрозональные фоточувствительные объемные приборы с зарядовой связью // Изв. вузов. Электроника. - 1999. - № 3. - С. 45-51.Хайновский В.И., Уздовский В.В., Гордо Н.М., Федоров Р.А. Моделирование процессов фоторелаксации в многоканальных объемных фоточувствительных приборах с зарядовой связью // Изв. вузов. Электроника. - 2000. - № 1. - С. 28-35.Dash W.C., Newman R. Intrinsic optical absorption in single-crystal germanium and silicon at 77 K and 300 K // Phys. Rew. - 1955. - Vol. 99, № 4, August. - P. 1151-1155.