Моделирование напряженного состояния структур por-Si – H2O в окрестности точки фазового перехода воды

Раздел находится в стадии актуализации

Влагонасыщенные мезопористые материалы характеризуются значительным понижением температуры плавления/замерзания адсорбированных в наноразмерных порах жидкостей, что обусловлено эффектом пространственного ограничения. Данный эффект при низких температурах существенно влияет на работоспособность разрабатываемых на их основе электрохимических устройств. В работе рассмотрена задача прогнозирования напряженного состояния водонасыщенных мезопористых материалов на основе кремния в окрестности точки кристаллизации воды. Построена теоретическая модель, учитывающая структуру исследуемого композита, в частности ориентацию пор в пространстве материала и наличие естественного оксидного слоя на поверхностях пор в кремниевой матрице, а также физико-механические характеристики и объемные доли его компонентов. Показано, что разработанная модель позволяет оценить стойкость к механическому разрушению водонасыщенных мезопористых структур por-Si – H2O при термоциклировании в окрестности точки фазового перехода лед – вода. Проведены численные модельные расчеты напряжений, возникающих в матрице кремния при кристаллизации воды. Исследованы зависимости указанных напряжений от изменений объемной доли воды, адсорбированной в пористых кремниевых мембранах, и значений безразмерного структурного параметра – отношения толщины слоя диоксида кремния к радиусу поры. Моделирование показало, что увеличение как объемной доли воды, так и безразмерного структурного параметра приводит к росту значений напряжений в кремниевой матрице. С помощьючисленных расчетовустановлено, что замерзание воды в порах при последовательных циклах охлаждение – нагрев не должно оказывать разрушающего воздействия на рассматриваемые водонасыщенные мезопористые структуры. Полученный вывод не противоречит имеющимся экспериментальным данным.
Бардушкин Андрей Владимирович
Национальный исследовательский университет «МИЭТ» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1); Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук (Россия, 119334, г. Москва, Ленинский пр-т, 32А)
Яковлев Виктор Борисович
Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук (Россия, 119334, г. Москва, Ленинский пр-т, 32А)

124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, ауд. 7231

+7 (499) 734-62-05
magazine@miee.ru