Двумерное моделирование эмиттерного p–n+-перехода кремниевого n–p–n-транзистора в прямоугольной и цилиндрической системах координат

Двумерное моделирование эмиттерного p–n+-перехода кремниевого n–p–n-транзистора в прямоугольной и цилиндрической системах координат

Повышение степени интеграции микросхем обусловило  необходимость моделирования полупроводниковых структур, позволяющего предварительно рассчитать их конструктивно-технологические и электрофизические параметры и уменьшить тем самым количество натурных экспериментов. Часто p–n-переход не только является основной активной частью приборов электронной техники, но и выполняет функции одной из областей приборных структур, например может быть эмиттерным переходом биполярного n–p–n-транзистора. В работе проведен сравнительный анализ результатов двумерного моделирования кремниевого p–n+-перехода в двух системах координат: прямоугольной (декартовой) и цилиндрической. Для проведения технологического моделирования исследуемой p–n+-структуры и получения ее изображения применена программа TSuprem4, входящая в состав программного комплекса фирмы Synopsys. Приборное моделирование полученной p–n+-структуры как в декартовой, так и в цилиндрической системах координат осуществлено с помощью программы Medici, также входящей в состав программного комплекса фирмы Synopsys. Получены значения электрофизических параметров исследуемого p–n+-перехода и построены его пробивные характеристики. Для рассматриваемой структуры разница в значениях конструктивно-технологических параметров при моделировании в двух системах координат составляет от 2,6 до 7,4 %, в значениях электрофизических параметров – от 1,0 до 1,5 %. Полученные различия в результатах вычислений  незначительны. Следовательно, исследованную структуру можно моделировать в обеих системах координат с достаточно высокой степенью точности.
Лагунович Наталия Леонидовна
Филиала НТЦ «Белмикросистемы» ОАО «ИНТЕГРАЛ» – управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ», Беларусь, г. Минск
Поделиться