1. Балан Н. Н., Иванов В. В., Кузовков А. В., Шамин Е. С. Место фазосдвигающих фотошаблонов в современной полупроводниковой технологии. Электронная техника. Сер. 3: Микроэлектроника. 2019;(2):54–63. EDN: NSJGMW.
Balan N. N., Ivanov V. V., Kuzovkov A. V., Shamin E. S. Phase shifting masks in modern semiconductor technology. Elektronnaya tekhnika. Ser. 3: Mikroelektronika = Electronic Engineering. Ser. 3: Microelectronics. 2019;(2):54–63. (In Russ.).
2. Лавров И. В., Дронова Д. А., Силибин М. В., Аникин А. В., Дубков С. В., Лебедев Е. А. и др. Моделирование дифракционных эффектов при использовании фазосдвигающих слоев в фотолитографии. Изв. вузов. Электроника. 2024;29(6):736–751. https://doi.org/10.24151/1561-5405-2024-29-6-736-751. EDN: DVEATM.
Lavrov I. V., Dronova D. A., Silibin M. V., Anikin A. V., Dubkov S. V., Lebedev E. A. et al. Simulation of the diffraction effects using phase-shifting layers in photolithography. Izv. vuzov. Elektronika = Proc. Univ. Electronics. 2024;29(6):736–751. (In Russ.). https://doi.org/10.24151/1561-5405-2024-29-6-736-751
3. Hibbs M. S., Ushida M., Babich K., Mitsui H., Bourov A. Evaluation of molybdenum silicide for use as a 193-nm phase-shifting absorber in photomask manufacturing. Proc. SPIE. 2001;4186:444. https://doi.org/10.1117/12.410721
4. Ushida M., Kobayashi H. HOYA deep-UV EAPSM blanks development status. Proc. SPIE. 1999;3665:9. https://doi.org/10.1117/12.346216
5. Громов Д. Г., Гаврилов С. А., Лебедев Е. А., Силибин М. В., Дубков С. В., Аникин А. В. и др. Управление составом тонких пленок Mo-Si-N-O при реактивном магнетронном распылении. Изв. вузов. Электроника. 2023;28(6):745–761. https://doi.org/10.24151/1561-5405-2023-28-6-745-761. EDN: WRKMQW.
Gromov D. G., Gavrilov S. A., Lebedev E. A., Silibin M. V., Dubkov S. V., Anikin A. V. et al. Composition control of Mo-Si-N-O thin films during reactive magnetron sputtering. Izv. vuzov. Elektronika = Proc. Univ. Electronics. 2023;28(6):745–761. (In Russ.). https://doi.org/10.24151/1561-5405-2023-28-6-745-761
6. Motonaga T., Ohtsuki M., Kinase Y., Nakagawa H., Yokoyama T., Mohri H. et al. Development of bilayered TaSiOₓ-HTPSM: I. Proc. SPIE. 2001;4409:438337. https://doi.org/10.1117/12.438337
7. Reynolds G. A. M., French R. H., Carcia P. F., Torardi C. C., Hughes G. P., Jones D. J. et al. TiSi-nitride attenuating phase-shift photomask for 193-nm lithography. Proc. SPIE. 1998;3546:514–523. https://doi.org/10.1117/12.332857
8. Carcia P. F., French R. H., Sharp K. G., Meth J. S., Smith B. W. Materials screening for attenuating embedded phase-shift photoblanks for DUV and 193-nm photolithography. Proc. SPIE. 1996;2884:255–263. https://doi.org/10.1117/12.262809
9. Bian Z., Shaffer E. O., Geer R. E. Development of TaSiN diffusion barriers for Cu/SiLK metallization schemes. In: Proc. of the IEEE 2001 International Interconnect Technology Conference (Cat. No.01EX461). Burlingame, CA: IEEE; 2001, pp. 204–206. https://doi.org/10.1109/IITC.2001.930061
10. Hara T., Namiki K. Effect of TaSiN barrier layer composition on resistivity of electroplated copper interconnection layers. Electrochem. Solid-State Lett. 2004;7(5):C57. https://doi.org/10.1149/1.1675952
11. Maniruzzaman Md., Alam S. S., Ahsan Md. S., Hasan Md. T., Haque A. K. M. A. Adhesion of copper with diffusion barrier layer for copper interconnection. Khulna Univ. Stud. 2007;08(1):43–48. https://doi.org/10.53808/KUS.2007.8.1.0636-E
12. Giannuzzi L. A., Stevie F. A. (eds). Introduction to focused ion beams: Instrumentation, theory, techniques, and practice. New York: Springer; 2004. xvii, 357 p. https://doi.org/10.1007/b101190
13. Ивин В. В., Махвиладзе Т. М., Валиев К. А. Теоретическое рассмотрение вопросов выбора оптимальной формы источника в оптической нанолитографии. Микроэлектроника. 2004;33(3):163–174. EDN: OWNIVL.
Ivin V. V., Makhviladze T. M., Valiev K. A. Optimizing light-source aperture for off-axis illumination in optical nanolithography: Theoretical consideration. Russ. Microelectron. 2004;33(3):127–136. https://doi.org/10.1023/B:RUMI.0000026169.36599.03