Мемристорные эффекты и анизотропия в композите полиимид – TiV с нитевидными проводящими каналами

Раздел находится в стадии актуализации

Для создания новых материалов и элементной базы микроэлектроники необходимо решать задачи управления электрической проводимостью полимерных композитов и поиска актуальных областей их применения. Композиты, основанные на полимерах, при внедрении дисперсных частиц в полимерную матрицу приобретают уникальные свойства. Титан и его сплавы характеризуются исключительными механическими трибологическими свойствами, коррозионной устойчивостью, биосовместимостью и антибактериальными свойствами, благодаря чему широко применяются в биомедицине. В работе с применением электронной микроскопии, энергодисперсионной и рентгенофлюоресцентной спектроскопии, измерений электрических характеристик исследованы электрофизические свойства композитного материала на основе полиимида ПИ-ЛК2В и порошка TiV. Показана возможность переключения образцов в проводящее состояние с помощью специального режима электроформовки. Образцы демонстрируют наличие нелинейности ВАХ, гистерезиса и анизотропии электрических свойств. Обнаружены варисторный и мемристорный эффекты, которые объясняются образованием тонких нитевидных проводящих каналов в материале композита. Результаты исследования могут быть использованы в интегральной электронике для создания композитных функциональных материалов с управляемыми проводящими и диэлектрическими свойствами, в технологиях многоуровневой разводки и перераспределительных слоев.
Бойко Антон Николаевич
National Research University of Electronic Technology (Russia, 124498, Moscow, Zelenograd, Shokin sq., 1)
Кочергин Михаил Дмитриевич
National Research University of Electronic Technology (Russia, 124498, Moscow, Zelenograd, Shokin sq., 1)
Вертянов Денис Васильевич
National Research University of Electronic Technology (Russia, 124498, Moscow, Zelenograd, Shokin sq., 1)
Гаев Дахир Сайдуллахович
Kabardino-Balkarian State University named after H. M. Berbekov (Россия, 360004, г. Нальчик, ул. Чернышевского, 173)
Пебалк Дмитрий Владимирович
National Research University of Electronic Technology (Russia, 124498, Moscow, Zelenograd, Shokin sq., 1)

124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, ауд. 7231

+7 (499) 734-62-05
magazine@miee.ru