В силовой электронике часто используется нормально-закрытый режим работы GaN-НЕМТ-транзистора, когда ток не течет при нулевом напряжении между затвором и истоком, а в канале ток модулируется приложением положительного смещения к электроду затвора. Измерение параметров GaN-НЕМТ-транзистора в гигагерцовом диапазоне имеет важное значение для получения физического представления о его работе, а также для разработки моделей больших и малых сигналов. В работе проведены экспериментальные исследования зависимостей входных параметров нормально-закрытого GaN-НЕМТ-транзистора при разных режимах работы в гигагерцовом диапазоне. Предложена методика определения входной индуктивности. Приведены зависимости входной емкости и входного сопротивления от напряжений на затворе и стоке транзистора в диапазоне частот 5–20 ГГц. Полученные зависимости могут применяться при построении малосигнальной модели для нормально-закрытого GaN-НЕМТ-транзистора.
Хлыбов Александр Иванович
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1
Егоркин Владимир Ильич
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1
Котляров Евгений Юрьевич
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1
1. Asif Khan M., Kuznia J. N., Bhattarai A. R., Olson D. T. Metal semiconductor field effect transistor based on single crystal GaN // Appl. Phys. Lett. 1993. Vol. 62. Iss. 15. P. 1786–1787.
https://doi.org/10.1063/1.109549
2. Roccaforte F., Greco G., Fiorenza P., Iucolano F. An overview of normally-off GaN-based high electron mobility transistors // Materials. 2019. Vol. 12. Iss. 10. Art. No. 1599.
https://doi.org/10.3390/ma12101599
3. СВЧ-рефлектометрия n-МОП КНИ-транзисторов / В. П. Тимошенков, А. И. Хлыбов, Д. В. Родионов и др. // Наноиндустрия. 2020. № S96-1. С. 353–355.
https://doi.org/10.22184/1993-8578.2020.13.3s.353.355. – EDN: QNAWSL.
4. Коколов А. А., Бабак Л. И. Методика построения малосигнальной модели СВЧ-транзистора с высокой подвижностью электронов // Доклады ТУСУР. 2010. № 2-1 (22). С. 153–156. EDN: NQVQBH.
5. Su J.-G., Wong Sh.-Ch., Chang Ch.-Y., Huang T.-Y. The extraction of MOSFET gate capacitance from S-parameter measurements // Solid-State Electron. 2002. Vol. 46. Iss. 8. P. 1163–1167.
https://doi.org/10.1016/S0038-1101(02)00022-9