1. Полупроводниковые детекторы в экспериментальной физике / Ю. К. Акимов, О. В. Игнатьев, А. И. Калинин, В. Ф. Кушнирук; под ред. Ю. К. Акимова. М.: Энергоатомиздат, 1989. 344 с.
Akimov Yu. K. (auth., ed.), Ignat’yev O. V., Kalinin A. I., Kushniruk V. F. Semiconductor detectors in experimental physics. Moscow, Energoatomizdat Publ., 1989. 344 p. (In Russian).
2. Соминский М. С. Полупроводники. Л.: Наука, Ленингр. отд-ние, 1967. 440 с.
Sominskiy M. S. Semiconductors. Leningrad, Nauka. Leningr. otd-niye, 1967. 440 p. (In Russian).
3. Effects of carbon impurity in monocrystalline silicon on electrical properties and the mechanism analysis of PIN rectifier diodes / X. Sun, H. Guo, Y. Zhang et al. // IEEE Access. 2021. Vol. 9. P. 22868-22875. DOI: 10.1109/ACCESS.2021.3055279 EDN: MMHQKF
4. Impact of carbon impurities in silicon PIN diodes on electrical dynamic characteristics / T. Sugiyama, M. Yamazaki, F. Niwa et al. // R&D Review of Toyota CRDL. 2012. Vol. 43. Iss. 1. P. 61-68.
5. Carlson R. O., Hall R. N., Pell E. M. Sulfur in silicon //j. Phys. Chem. Solids. 1959. Vol. 8. P. 81-83. DOI: 10.1016/0022-3697(59)90279-3
6. Detection of sulfur-related defects in sulfur diffused n- and p-type Si by DLTS / K. Gwozdz, V. Kolkovsky, J. Weber et al. // Phys. Status Solidi A. 2019. Vol. 216. Iss. 17. Art. No. 1900303. DOI: 10.1002/pssa.201900303
7. О растворимости серы в кремнии / В. Б. Шуман, А. А. Махова, Ю. А. Астров и др. // ФТП. 2012. Т. 46. № 8. С. 993-994. EDN: RCQUCR
Shuman V. B., Makhova A. A., Astrov Yu. A., Ivanov A. M., Lodygin A. N. Solubility of sulfur in silicon.
Semiconductors, 2012, vol. 46, iss. 8, pp. 969–970.
https://doi.org/10.1134/S1063782612080209
8. Review of photodetectors characterization methods / Z. Bielecki, K. Achtenberg, M. Kopytko et al. // Bull. Polish Acad. Sci. Tech. Sci. 2022. Vol. 70. No. 2. Art. No. e140534. DOI: 10.24425/bpasts.2022.140534 EDN: YOGQAD
9. Чопра К. Л., Дас С. Р. Тонкопленочные солнечные элементы / сокр. пер. с англ. И. П. Гавриловой; под ред. М. М. Колтуна. М.: Мир, 1986. 440 с.
Chopra K. L., Das S. R. Thin film solar cells. New York, Springer, 1983. xvi, 607 p.
https://doi.org/10.1007/978-1-4899-0418-8
10. Литвинов В. Г., Гудзев В. В., Милованова О. А., Рыбин Н. Б. Релаксационная спектроскопия полупроводниковых микро- и наноструктур // Вестник Рязанского гос. радиотехн. ун-та. 2009. № 30. С. 62-70. EDN: KXTWMD
Litvinov V. G., Gudzev V. V., Milovanova O. A., Rybin N. B. Transient spectroscopy of semiconductor micro- and nanostructures. Vestnik Ryazanskogo gos. radiotekhn. un-ta = Vestnik of Ryazan State Radio Engineering University, 2009, no. 30, pp. 62–70. (In Russian).
11. DLTS study of defects in HgCdTe heterostructure photodiode / K. Majkowycz, K. Murawski, T. Manyk et al. //j. Electron. Mater. 2023. Vol. 52. P. 7074-7080. DOI: 10.1007/s11664-023-10653-x EDN: AQSCDL
12. Ахметов Н. С. Общая и неорганическая химия. 3-е изд., перераб. и доп. М.: Высш. шк., 1998. 743 с.
Akhmetov N. S. General and inorganic chemistry. 3rd ed., rev. and upd. Moscow, Vyssh. shk., 1998. 743 p. (In Russian).
13. Rosier L. L., Sah C. T. Thermal emission and capture of electrons at sulfur centers in silicon // Solid-State Electronics. 1971. Vol. 14. Iss. 1. P. 41-54. DOI: 10.1016/0038-1101(71)90047-5 EDN: XWRONQ
14. Deep level analysis of radiation-induced defects in Si crystals and solar cells / M. Yamaguchi, A. Khan, S. J. Taylor et al. //j. Appl. Phys. 1999. Vol. 86. Iss. 1. P. 217-223. DOI: 10.1063/1.370698
15. Перераспределение глубоких примесей селена и серы в кремнии при легировании поверхности фосфором / Ю. А. Астров, В. А. Козлов, А. Н. Лодыгин и др. // ФТП. 2009. Т. 43. № 6. С. 739-744. EDN: RCPYCJ
Astrov Yu. A., Kozlov V. A., Lodygin A. N., Portsel L. M., Shuman V. B., Gurevich E. L., Hergenröder R. Redistribution of deep selenium and sulfur impurities in silicon upon surface doping with phosphorus. Semiconductors, 2009, vol. 43, iss. 6, pp. 710–715.
https://doi.org/10.1134/S1063782609060049
16. Мильчанин О. В., Комаров Ф. Ф., Плебанович В. И., Комаров А. Ф. Совместная с ионами BF2+ имплантация углерода при создании p+-n-переходов в кремнии // Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы 7-й Междунар. конф. (Минск, 26-28 сент. 2007). Минск: Изд. центр БГУ, 2007. С. 208-210. EDN: LMVNKM
Mil’chanin O. V., Komarov F. F., Plebanovich V. I., Komarov A. F. Joint implantation of carbon with
BF2+ ions in the creation of p+–n junctions in silicon. Vzaimodeystviye izlucheniy s tverdym telom, proceedings of 7th International conf. (Minsk, Sep. 26–28, 2007). Minsk, BSU Publ. Center, 2007, pp. 208–210. (In Russian).
17. Актуальные проблемы материаловедения: сб. обзоров / пер. с англ. под ред. Е. И. Гиваргизова, М. М. Колтуна. Вып. 1. М.: Мир, 1982. 271 с.
Kaldis E., ed. Current topics in materials science, collection of reviews. Vol. 4. Amsterdam, Elsevier North-Holland, 1980. 596 p.