The results of the studies on the thin films of ZnO:Ga, obtained by the magnetron sputtering of the corresponding target in argon and argon with 5% hydrogen without heating the substrate, have been presented. It has been shown that the resistivity and stability over time of the ZnO:Ga films depend on their thickness, the exposure to solar radiation and the external environment. It has been determined that the doping of the ZnO:Ga films by hydrogen can substantially reduce their resistivity and an increase the stability of the films in time can be achieved by the coating, that protects against the effects of the external gas environment.
Представлены результаты исследований тонких пленок ZnO:Ga, полученных магнетронным распылением соответствующей мишени в среде аргона и аргона с 5%-ным содержанием водорода без нагрева подложки. Показано, что удельное сопротивление и стабильность во времени пленок ZnO:Ga существенно зависит от их толщины, воздействия солнечного излучения, внешней окружающей среды. Установлено, что легирование пленок ZnO:Ga водородом позволяет существенно снизить их удельное сопротивление, а повышения стабильности пленок во времени можно достигнуть с помощью покрытия, защищающего от воздействия внешней газовой среды.