The electrical conductivity of TiO layers doped at high concentration vanadium has been carried out as a function of temperature 77-300 K. The layers have been grown by the RF-magnetron sputtering on matched LaAlO substrates. It has been shown that in case of the V-doping the 3D variable range hopping (VRH) conductivity by the Mott law is observed. The hopping conductivity parameters: average hopping energy, hopping distance and density of states at the Fermi level have been calculated.
Проведены измерения электрической проводимости слоев TiO, легированного в высоких концентрациях ванадием, как функции от температуры в интервале 77-300 К. Показано, что для тонких эпитаксиальных слоев в случае легирования ванадием наблюдается 3D-проводимость с переменной длиной прыжка по закону Мотта. Проведен расчет параметров проводимости: средней энергии и длины прыжка, плотности состояний вблизи уровня Ферми.