<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<article xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xmlns:ali="http://www.niso.org/schemas/ali/1.0/" article-type="research-article" dtd-version="1.2" xml:lang="en">
  <front>
    <journal-meta>
      <journal-id journal-id-type="issn">1561-5405</journal-id>
	    <journal-id journal-id-type="doi">10.24151/1561-5405</journal-id>	  
      <journal-id journal-id-type="publisher-id">Proceedings of Universities. Electronics</journal-id>
      <journal-title-group>
        <journal-title xml:lang="en">Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics"</journal-title>
        <trans-title-group xml:lang="ru">
          <trans-title>Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника»</trans-title>
        </trans-title-group>        
      </journal-title-group>      
      <issn publication-format="print">1561-5405</issn>
      <issn publication-format="online">2587-9960</issn>
      <publisher>
        <publisher-name xml:lang="en">National Research University of Electronic Technology</publisher-name>
        <publisher-name xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"</publisher-name>
      </publisher>
    </journal-meta>
    <article-meta>                                    
      
    <article-categories/><title-group><article-title xml:lang="en">Archives</article-title><trans-title-group xml:lang="ru"><trans-title>p-i-n-</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Усанов Дмитрий Александрович </string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Усанов</surname><given-names>Дмитрий Александрович </given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Aleksandrovich</surname><given-names>Usanov Dmitriy</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Usanov Dmitriy Aleksandrovich</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Усанов Дмитрий Александрович </string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Усанов</surname><given-names>Дмитрий Александрович </given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Aleksandrovich</surname><given-names>Usanov Dmitriy</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Usanov Dmitriy Aleksandrovich</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><aff id="AFF-1" xml:lang="ru"/></contrib-group><fpage>24</fpage><lpage>29</lpage><self-uri>http://ivuz-e.ru/en/issues/8-_2010/p_i_n/</self-uri><abstract xml:lang="en"><p>The one-dimensional waveguide photonic structure - the photonic crystal with the controlled frequency characteristics - has been implemented. The tuning of the center frequency of the low-loss transmission window of the photonic crystal was achieved by selecting the parameters of irregularity I in the photonic crystal, while the control of the transmission value at selected frequency was performed by changing voltage on Pin-diode. The possibility of implementing the microwave device in the X-band with the pass band of 70 MHz at the 3 dB-level and with the transmission coefficient adjustable in the band from 1.5 dB to 25 dB with changing the voltage on PIN-diode from 0 to 700 mV, based on the waveguide photonic crystal, has been shown.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="ru"><p>Реализована одномерная волноводная фотонная структура - фотонный кристалл с управляемыми частотными характеристиками. Перестройка центральной частоты окна прозрачности фотонного кристалла достигалась выбором параметров нарушения периодичности в фотонном кристалле, в то время как управление величиной пропускания на выбранной частоте - изменением напряжения на -диоде. Показана возможность реализации на основе волноводного фотонного кристалла СВЧ-устройства 3-сантиметрового диапазона длин волн с полосой пропускания 70 МГц на уровне 3 дБ и коэффициентом пропускания, регулируемым в диапазоне от -1,5 до -25 дБ при изменении напряжения прямого смещения на -диоде от 0 до 700 мВ.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd/></kwd-group><funding-group/></article-meta>
  </front>
  <body/>
  <back>
    <ref-list/>    
  </back>
</article>
