One of the urgent tasks in the design of hybrid integrated circuits (HIC) is the construction of adapter-attenuators - film absorbing elements providing a wide range of attenuations with specified values of input and output resistances. Known variants of adapter-attenuators based on a homogeneous and piecewise homogeneous resistive film provide (by introducing asymmetry in the dimensions of the input and output contacts, changing the location of a piecewise homogeneous resistive film, introducing dielectric or conductive regions) a resistance transformation coefficient of no more than 3 and 10-12, respectively. In this work, promising topologies of adapter-attenuators for HIC with a close to optimal profile of input and output contacts are proposed, which allow not only to obtain a wide range of transformation coefficients (more than 100), but also to reduce the maximum values of the potential gradient and power density by 10-30 times. The rectangular topology calculations were made using the apparatus of the theory of functions of a complex variable. Modeling of the optimized topology of adapter-attenuators for HIC was carried out by the finite element method implemented in the Elcut software package. The calculated ratios and graphs showing the relationship of attenuation, the transformation coefficient, the gain in the value of the potential gradient and the power density, depending on the ratio of the size of the film element and the resistivity of the resistive films used, have been provided. The features of adapter-attenuators fitting have been considered. The results obtained are especially important for the pulse mode of operation of adapter-attenuators’ film element for HIC.
Одной из актуальных задач при проектировании гибридных интегральных схем (ГИС) является построение адаптоаттенюаторов - пленочных поглощающих элементов, обеспечивающих широкий диапазон ослаблений с заданными значениями входного и выходного сопротивлений. Известные варианты адаптоаттенюаторов на основе однородной и кусочно-однородной резистивной пленки обеспечивают коэффициент трансформации сопротивлений не более 3 и 10-12 соответственно. В работе предложены перспективные топологии адаптоаттенюаторов для ГИС с близким к оптимальному профилем входного и выходного контактов. Показано, что данные топологии позволяют не только получать широкий диапазон коэффициентов трансформации (более 100), но и в 10-30 раз уменьшать максимальные значения градиента потенциала и плотности мощности. При расчете прямоугольной топологии использован аппарат теории функций комплексного переменного. Моделирование оптимизированной топологии адаптоаттенюаторов для ГИС проведено методом конечных элементов, реализованным в программном комплексе Elcut. Приведены расчетные соотношения и графики, показывающие взаимосвязь ослабления, коэффициента трансформации, выигрыша в градиенте потенциала и плотности мощности в зависимости от соотношения размеров пленочного элемента и удельных сопротивлений используемых резистивных пленок. Рассмотрены особенности подгонки адаптоаттенюаторов. Полученные результаты важны для работы пленочного элемента адаптоаттенюаторов для ГИС в импульсном режиме.