Today, both macromodels and transistor-level models of semiconductor integrated circuits are available. However, most models don’t take into account the influence of destabilizing effects. Thus, the tasks of developing new models and fitting the parameters of existing ones are very relevant. In this work, the authors introduced an assumption about the existence of a correlation relationship between all the parameters of integrated circuits’ transistor-level models and offered a way to fit these parameters. The experience of fitting the model’s parameters of the integrated circuit 1564LE1 EP was presented. To simplify this task, all parameters were altered by the same relative deviation. To check the assumption made, the authors carried out full-scale experiment, in which the frequency of the self-oscillation of the ring oscillator based on the 1564LE1 EP was measured in the temperature range. The simulation of the ring oscillator has been made using a SPICE-simulator. The dependences of the self-oscillation frequency on temperature, obtained as a result of simulation and as a result of experiment, were compared before and after fitting the parameters of the integrated circuit model. Also, the waveforms of the ring oscillator based on the original and fitted model were compared. The analysis of the obtained dependences of the frequency of oscillations, the signal shape before and after the model fitting, the link to the text of the fitted model has been provided. The results obtained show the possibility of using the introduced assumption to fit the parameters of the transistor-level integrated circuit model.
На сегодняшний день разработчикам электроники доступны как макромодели, так и модели транзисторного уровня полупроводниковых ИС. Однако модели, учитывающие влияние дестабилизирующих воздействий, отсутствуют в открытом доступе, поэтому задачи разработки и уточнения моделей остаются актуальными. В работе рассмотрено существование корреляционной взаимосвязи между всеми параметрами моделей ИС транзисторного уровня и предложен способ уточнения этих параметров. Проведен опыт уточнения параметров модели ИС 1564ЛЕ1 ЭП. Для упрощения задачи уточнения все параметры изменены на одинаковое относительное отклонение. Для проверки внесенного предположения проведен натурный эксперимент: измерена частота сигнала кольцевого генератора на основе 1564ЛЕ1 ЭП в температурном диапазоне. Выполнено моделирование кольцевого генератора, проведено сравнение зависимостей частоты автоколебаний от температуры, полученных в результате моделирования и эксперимента до и после уточнения параметров модели. Сопоставлены формы сигнала кольцевого генератора для исходной и уточненной моделей. Проанализированы результаты полученных зависимостей частоты автогенерации, формы сигнала до и после уточнения модели. Результаты исследования свидетельствуют о возможности использования внесенного предположения для уточнения параметров модели ИС транзисторного уровня.