The results of the study on the structural perfection of the layers of the heterostrucrure GaN/GaInN/AlO and the impact of the defects on the characteristics of the emitter based on them have been presented. To determine the defectiveness of the layers the x-ray diffraction method has been used. A new methods and a device based on photodiode FD-24K have been developed for estimation of the quantum yield.
1. Туркин А.Н. Обзор развития технологии полупроводниковых гетероструктур на основе нитрида галлия // Полупроводниковая светотехника. - 2011. - №6. - С. 6-9.
2. Кютт Р.Н., Ратников В.В., Мосина Г.Н., Щеглов М.П. Структурное совершенство эпитаксиальных слоев GaN по данным рентгеновской дифракции // Физика твердого тела. – 1999. - Т. 41. - № 1. – C. 30–37.
3. Боуэн Д.К., Таннер Б.К. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топогарфия. - СПб.: Наука, 2002. – 274 с.
4. Blue InGaN quantum well LED fabrication / S. Nakamura, M. Grundmann, J. Haaheim et al. // Department of Electrical and Computer Engineering – Santa Barbara: University of California, 2002. – 5/8. - P.16.
5. Квантовая эффективность и формирование линии излучения в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN / Н.И. Бочкарев, Д.В. Тархин, Ю.Т. Ребане и др. // ФТП. – 2007. - Т 41. - Вып. 1. - С. 88–94.
6. Ермаков О.Н., Сушков В.П. Полупроводниковые знакосинтезирующие индикаторы. - М.: Радио и связь, 1990. - 240 с.
7. Winston D.W. Physical simulation of optoelectronic semiconductor devices // Thesis of doctor of philosophy degree dissertation. - Graduate School of the University of Colorado, 1996. - 186 p.
8. Рабинович О.И., Сушков В.П., Шишов А.В. Компьютерное моделирование InGaN светодиодов // V Всерос. конф. «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы». – СПб.: Политехнический университет, 2007. - С. 81–82.