To increase the functioning operating range of CMOS LSI, designed according to the radiation-resistant technology SOS, an increase of the breakdown voltages pf the N-channel MOS transistors is required. The results of the construction modernization and that one of the technological route of formation of N-MOS transistors with an improved breakdown voltage, obtained by means of the device-technological modeling TCAD Synopsys, have been presented.
1. Красников Г.Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов. – 2-е изд., испр. – М.: Техносфера, 2011. – 800 с.
2. Соловьев А.В. Модернизация технологического маршрута производства КМОП КНС БИС с целью повышения пробивного напряжения транзисторов // Потенциал современной науки. – 2015. – №9. – С. 20–21.
3. Афонин Н.Н., Александров О.В. Влияние окислительных сред на диффузионно-сегрегационное перераспределение бора в системе термический диоксид кремния – кремний // ЖТФ. – 2003. – Т. 73. – № 5. – С. 57–63.