1561-5405 10.24151/1561-5405 Proceedings of Universities. Electronics Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics" Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника» 1561-5405 2587-9960 National Research University of Electronic Technology Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" 53.083.8:53.089.5;539.1.074Investigation of Mechanisms of Formation and Transport of Surface Molecular ContaminationИсследование механизмов образования и переноса поверхностных молекулярных загрязнений543550http://ivuz-e.ru/en/issues/6-_2016/issledovanie_mekhanizmov_obrazovaniya_i_perenosa_poverkhnostnykh_molekulyarnykh_zagryazneniy/http://ivuz-e.ru/en/download/6_2016_1503_en.pdf

The kinetic model of the surface molecular contamination, formed as a result of two-dimensional nucleation, has been investigated. The solutions to describe the structural characteristics of the growing pollution through a system of physical constants and the parameters of the growth process in the clean room technology industry have been obtained.

Исследована кинетическая модель формирования поверхностных молекулярных загрязнений в результате двумерного зародышеобразования. Получены решения для описания структурных характеристик растущих загрязнений через физические константы системы и параметров процесса роста в чистых помещениях индустрии высоких технологий.

 Колмогоров А.Н. К статистической теории кристаллизации металлов // Изв. АН СССР. Сер. матем.  1937.  1:3.  С. 355–359.  URL: http://mi.mathnet.ru/rus/izv/v1/i3/p355 (дата обращения 16.02.2016).Kuni F.M. The Kinetics of Condensation under the Dynamical Conditions // Preprint IPT-84-178E  Kiev, 1984 (Institute of Theoretical Physics).Куни Ф.М., Гринин А.П. Кинетика гомогенной конденсации на этапе образования основной массы новой фазы // Коллоидный журнал.  1984.  Т. 46.  № 3.  С. 460465.Binder K. Theory for the dynamics of «clusters.» II. Critical diffusion*in binary systems and the kinetics of phase separation // Phys. Rev. B.  1977.  Vol. 15.  P. 44254447.Kashchiev D. Growth kinetics of dislocation-free interfaces and growth mode of thin films // J. Cryst. Growth.  1977.  Vol. 40.  P. 2946.Беленький В.З. Геометрико-вероятностные модели кристаллизации.  М.: Наука, 1980.  80 с.  URL: http://www.twirpx.com/file/624512 (дата обращения 16.02.2016).Трофимов В.И., Осадченко В.А. Рост и морфология тонких пленок.  М.: Энергоатомиздат, 1993.  271 с.Dubrovskii V.G. Nucleation and Growth of Adsorbed Layer Self-Consistent Approach Based on Kolmogoroff-Avrami Model // Phys. Status Solidi B.  1992.  Vol. 171.  P. 345.Севрюкова E.A. Моделирование коагуляции высокой концентрации аэрозолей // Сб. материалов 4-й Междунар. науч.-практической конф. «Европейская наука и технологии» (Мюнхен, Германия, 2013).  2013.  С. 716718.Чернов А.А., Гиваргизов Е.И., Багдасаров Х.С. Современная кристаллография. Т3. Образование кристаллов.  М.: Наука, 1980.  407 с.Лившиц И.М., Слезов В.В. О кинетике диффузионного распада пересыщенных твердых растворов // ЖЭТФ.  1958.  Т. 35.  №2.  С. 479487.Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур // ФТП.  1998.  Т. 32. – № 3.  С. 111.Кукушкин С.А., Осипов А.В. Кинетика образования новой фазы на поверхностях твердых тел // ФТТ.  1996.  Т.38.  N2.  С. 443–451.Севрюкова Е.А. Модели коагуляции и механизм роста агломератов в чистых помещениях микроэлектроники // Прикладная физика.  2012.  №5.  С. 3741.Дубровский В.Г., Цырлин Г.Э. Динамика роста однокомпонентной кристаллической тонкой пленки // ЖТФ.  1997.  Т. 67.  Вып. 11.  С. 136138.Севрюкова Е.А., Кузьмишкин Г.С. Анализ влияния молекулярных аэрозольных загрязнений в чистых помещениях нано- и микроэлектроники // Инфраструктура объектов природно-технических геосистем: сб. научн. тр. / Под ред. Каракеяна В.И. – М.: МИЭТ. – 2013. – С. 5360.