1561-5405 10.24151/1561-5405 Proceedings of Universities. Electronics Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics" Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника» 1561-5405 2587-9960 National Research University of Electronic Technology Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" 621.315.592Материалы электронной техникиMethod of Study on Galvanomagnetic Properties of CdHgTe and CdHgTe/CdZnTeМетод исследования гальваномагнитных свойств CdHgTe и CdHgTe/CdZnTe576581http://ivuz-e.ru/en/issues/6-_2015/metod_issledovaniya_galvanomagnitnykh_svoystv_cdhgte_i_cdhgte_cdznte/http://ivuz-e.ru/en/download/6_2015_1818_en.pdf

The galvanomagnetic Van der Pau measurements have been carried out on monocrystalline Cd HgTe (MCT) samples and epitaxial Cd HgTe/ CdZn Te (MCT/CZT) heterostructures ( x » 0,2) at T = 295 K and T = 77 K. The sample along with the cryostat rotated in magnetic field of electromagnet by (0-360°) - angle with 6-degree step. Angular dependencies of measured signal for p -type monocrystalline sample at T = 77 K were shown to be sinusoidal, hence, Hall coefficient did not depend upon magnetic field induction. However, for epitaxial MCT/CZT- heterostructures at T = 77 K measured signal angular dependencies differed greatly from sinusoids.

На монокристаллических объемных образцах Cd  Hg Te (КРТ) и эпитаксиальных гетероструктурах Cd  Hg Te/CdZn  Te (КРТ/КЦТ) ( х » 0,2) проведены гальваномагнитные измерения по методу Ван-дер-Пау при температуре 295 и 77 К. Образец вместе с криостатом вращался в поле электромагнита на угол от 0 до 360° с шагом 6°. Показано, что для объемного образца КРТ p -типа при температуре 77 К угловые зависимости измеряемого напряжения представляют собой синусоиды, т.е. коэффициент Холла не зависит от индукции магнитного поля. Однако для эпитаксиальных гетероструктур КРТ/КЦТ при температуре 77 К угловые зависимости измеряемого сигнала заметно отличаются от синусоидальных.

 Белов А.Г., Белогорохов А.И., Лакеенков В.М. // Об особенностях электрофизиче-ских свойств гетероструктур CdxHg1xTe/CdZnTe // Физика и техника полупроводников.  2001.  Т. 35. – № 8.  С. 917919.Исследование зависимостей проводимости и коэффициента Холла от магнитного поля в пленках CdxHg1xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии» / П.А. Бахтин, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин и др. // Физика и техника полупроводников.  2004.  Т. 38. – № 10.  С. 1203–1206.Влияние низкотемпературного отжига на электрофизические параметры пленок n-CdHgTe / П.А. Бахтин, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин и др. // Физика и техника полу-проводников.  2004.  Т. 38. – №10.  С. 1207–1210.О влиянии медленных электронов на полевые зависимости коэффициента Холла для твердых растворов CdxHg1xTe при Т = 77К / А.Г. Белов, И.М. Белова, В.Е. Каневский и др. // Физика и техника полупроводников.  2007.  Т. 41. – №10.  С. 1178–1181.Белов А.Г., Белова И.М., Каневский В.Е. // Разработка математической модели для описания полевых зависимостей коэффициента Холла для твердых растворов CdxHg1xTe при Т = 77К // Изв. МГИУ. Информационные технологии.  2007.  №1.  С. 9–13.Елизаров А.И., Богобоящий В.В., Белов А.Г. // Вольт-амперные характеристики потенциальных барьеров в гетероструктурах CdxHg1xTe/CdTe // ФТП.  1990.  Т. 24. – № 5.  С. 923–926.