1561-5405 10.24151/1561-5405 Proceedings of Universities. Electronics Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics" Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника» 1561-5405 2587-9960 National Research University of Electronic Technology Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" 10.24151/1561-5405-2018-23-5-446-453621.592Технологические процессы и маршрутыStudy on Tellurium Vapor Composition by Static MethodИсследование состава пара теллура статическим методомВигдорович Евгений НаумовичВигдоровичЕвгений НаумовичVigdorovichEvgeny N.Evgeny N. VigdorovichMIREA – Russian Technological University, Moscow, Russia446453http://ivuz-e.ru/en/issues/5-_2018/issledovanie_sostava_para_tellura_staticheskim_metodom/http://ivuz-e.ru/en/download/5_2018_2253_en.pdf

The static method using a zero-manometer enables with high accuracy to perform measurements of the vapor pressure. The data on the temperature dependence of the substance non-saturated vapor (the condensed phase is absent) in the static experiment allow the determination of the vapor composition. In this work a multi-component system, consisting of molecules, containing the i -th quantity of atoms, has been considered. The mathematical regularities during studying molecular composition of multicomponent vapor have been developed. Jointly with the initial equations the system of n linear equations with n unknowns has been obtained. The system of equations is compatible and has only one solution, as a determinant, composed by the coefficients at unknown partial pressure of the components, differs from zero. The tellurium vapor composition has been investigated by the experimental static method. It has been shown that the tellurium vapor mainly consists of the equilibrium of one-, two- and four atom molecules Te =2Te and Te =2T. The processing of the obtained experimental data has enabled to obtain the equations of the temperature dependence of the constants and to reveal the change of the tellurium average number of atoms in a gas phase in a broad interval of pressures and temperatures.

Статический метод с использованием нуль-манометра позволяет с высокой точностью проводить измерения давления пара. Данные по температурной зависимости давления ненасыщенного пара вещества (отсутствует конденсированная фаза) в статическом эксперименте позволяют определять состав пара. В работе рассмотрена многокомпонентная система, состоящая из молекул, содержащих i -е количество атомов. Разработаны математические закономерности при исследовании молекулярного состава многокомпонентного пара. Получена в совокупности с исходными уравнениями система n линейных уравнений с n неизвестными. Система уравнений совместна и имеет единственное решение, так как определитель, составленный из коэффициентов при неизвестных парциальных давлениях компонентов, отличен от нуля. Экспериментально статическим методом исследован состав пара теллура. Показано, что пар теллура состоит в основном из находящихся в равновесии одно-, двух- и четырехатомных молекул (Te = 2Te и Te = 2Te). Обработка полученных экспериментальных данных позволила получить уравнения температурной зависимости констант и выявить изменение среднего числа атомов теллура в газовой фазе в широком интервале давлений и температур.

 Кудрявцев А.А. Химия и технология селена и теллура. – М.: Металлургия, 1968. – 132 с.Чижиков Д.М., Счастливый В.П. Теллур и теллуриды. – М.: Наука, 1968. – 215 с.Пашинкин А.С., Михайлова М.С. Анализ термодинамических функций твердого теллурида висмута // Известия вузов. Электроника. – 2015. – Т. 20. – № 2. – С. 198–200.Grosse P. Die Festkorpereigen schaftenvonTellur. – Berlin – Heidelberg – New York: Springer-Verlag, 1969. – 208 s.Молекулярно-лучевая эпитаксия твердых растворов кадмий-ртуть-теллур на «аль-тернативных» подложках / Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин и др. // Физика и техника полупроводников. – 2001. – Т. 35. – Вып. 9. – С. 28–30.Сидоров Ю.Г., Якушев М.В., Колесников А.В. Дислокации в гетероэпитаксиальных структурах теллурида кадмия на подложках из арсенида галлия и кремния // Автометрия. – 2014. – Т. 50. – № 3. – С. 25–33.Sidorov Y.G., Yakushev M.V., Kolesnikov A.V. Dislocations in CdTe heteroepitaxial structures on GaAs and Si substrates // Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. – 2014. – Vol. 50. – No. 3. – P. 234–240.Тулеушев Ю.Ж., Володин В.Н., Мигунова А.А., Лисицын В.Н. Теллурид кадмия в пленках системы теллур–кадмий, сформированной ультрадисперсными частицами // Жур-нал технической физики. – 2015. – Т. 85. – Вып. 8. – С. 67–71.Triboulet R., Siffert P. CdTe and related compounds; physics, defects, hetero- and nano-structures, crystal growth, surfaces and applications // Elsevier Science. – 2010. – Part II. – P. 73–76.Выращивание эпитаксиальных слоев CdxHg1–хTe на подложках GaAs большого диаметра химическим осаждением из паров МОС и ртути / А.Н. Моисеев, А.В. Чилясов, Б.С. Степанов и др. // Успехи прикладной физики. – 2013. – Т. 1. – № 2. – С. 209–215.Гетероструктуры CdHgTe для нового поколения ИК-фотоприемников, работаю-щих при повышенных температурах / В.С. Варавин, В.В. Васильев, А.А. Гузев и др. // Фи-зика и техника полупроводников. – 2016. – Т. 50. – № 12. – С. 1652–1656.Лекк Дж. Измерение давления в вакуумных системах. – М.: Мир, 1966. – 208 c.Суворов А.В. Термодинамическая химия парообразного состояния. – Л.: Химия, 1970. – 208 c.Термодинамические свойства индивидуальных веществ: справочник / под ред. В. П. Глушко. – М.: Изд-во АН СССР, 1978–1984. Т. 1–4.Вигдорович Е.Н., Эскин С.М. Фазовые равновесия в системе Zn–Ga–P // Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы. – 1979. – Т. 15. – Вып. 11. – С. 1909–1912.Вигдорович Е.Н., Эскин С.М. Тензиметрические исследования и физико-химический анализ фазовых равновесий в системах, используемых при получении эпитаксиальных слоев III–V и твердых растворов на их основе // Обзоры по электронной технике. Сер. Материалы. – 1987. – Вып. 3. – С. 44.Случинская И.А. Основы материаловедения и технологии полупроводников. – М.: Мир, 2002. – 205 с.