1561-5405 10.24151/1561-5405 Proceedings of Universities. Electronics Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics" Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника» 1561-5405 2587-9960 National Research University of Electronic Technology Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" 621.3.049.77Индустрия наносистемCharacteristics Simulation and Optimization of Constructive and Technological Parameters of Integrated Magnetosensitive Elements in Microand NanosystemsМоделирование характеристик и оптимизация конструктивно-технологических параметров интегральных магниточувствительных элементов в составе микро- и наносистемЧаплыгин Юрий АлександровичЧаплыгинЮрий АлександровичChaplyginYury A.Yury A. ChaplyginNational Research University of Electronic Technology, Moscow, Russia489496http://ivuz-e.ru/en/issues/5-_2015/modelirovanie_kharakteristik_i_optimizatsiya_konstruktivno_tekhnologicheskikh_parametrov_integralnykh/http://ivuz-e.ru/en/download/5_2015_1859_en.pdf

Some specific features of the device-technological simulation have been considered. The results of the simulation and optimization of the integrated magnetosensitive elements as a part of micro- and nanosystems have been considered. The results of the simulation and optimization of the constructive -technological parameters for magnetosensitive transistors, Hall integrated elements, formed within the CMOS technology standards and the field Hall sensor based on the SOI technology as well as the characteristics of magnetic field concentrators have been presented.

Рассмотрены особенности приборно-технологического модели- рования интегральных магниточувствительных элементов в составе микро- и наносистем. Представлены результаты моделирования и оптимизации конструктивно-технологических параметров для магниточувствительных транзисторов, интегральных элементов Холла, формируемых в рамках стандартной КМОП-технологии, полевого датчика Холла на основе КНИ-структур, а также характеристики концентраторов магнитного поля.

 Королев М.А., Крупкина Т.Ю., Чаплыгин Ю.А. Приборно-технологическое моделирование при разработке изделий микроэлектроники и микросистемной техники // Изв. вузов. Электроника. –2005. – №4–5. – С. 64–71.Джексон Р.Г. Новейшие датчики. – М.: Техносфера. – 2007. – С. 145–151.Балтес Г.П., Попович Р.С. Интегральные полупроводниковые датчики магнитного поля // ТИИЭР. – 1986. – Т. 74. – № 8. – С. 60–86.Галушков А.И., Чаплыгин Ю.А. Интегральные магниточувствительные микросистемы // Изв. вузов. Электроника. – 2000. – № 4–5. – С. 124–127.Tumanski S. Induction coil sensors // Meas. Sci. Technol. – 2007. – Vol. 18. – P. R31–R46.Козлов А.В., Тихонов Р.Д. Исследование структуры биполярного двухколлекторного магнитотранзистора в двойном кармане с помощью приборно-технологического моделирования: мат. VI Международной научно-технической конференции INTERMATIC-2008. – М.: МИРЭА, 2008. – С. 189–193.Randjelovic Z.B., Kayal M., Popovic R., Blanchard H. High sensitive Hall magnetic sensor microsystem in CMOS technology // IEEE J. of Solid-State Circuits. – 2002. – Vol. 37. – P. 151–158.Чаплыгин Ю.А., Крупкина Т.Ю., Красюков А.Ю., Артамонова Е.А. Исследование влияния топологии КМОП совместимого элемента Холла на его магниточувствительность // VI Всероссийская научно-техническая конференция «Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем-2014»: сб. науч. тр. / Под общ. ред. А.Л. Стемпковского. – М.: ИППМ РАН, 2014. – С. 179–184.Some features of magnetometric and sensor devices based on the field effect hall sensor / M.L. Baranochnikov, A.V. Leonov, V.N. Mordkovich et al. // Advanced Electromagnetics Symposium. Proceedings. – Paris, 2012. – P. 455–459.