<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<article xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xmlns:ali="http://www.niso.org/schemas/ali/1.0/" article-type="research-article" dtd-version="1.2" xml:lang="en">
  <front>
    <journal-meta>
      <journal-id journal-id-type="issn">1561-5405</journal-id>
	    <journal-id journal-id-type="doi">10.24151/1561-5405</journal-id>	  
      <journal-id journal-id-type="publisher-id">Proceedings of Universities. Electronics</journal-id>
      <journal-title-group>
        <journal-title xml:lang="en">Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics"</journal-title>
        <trans-title-group xml:lang="ru">
          <trans-title>Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника»</trans-title>
        </trans-title-group>        
      </journal-title-group>      
      <issn publication-format="print">1561-5405</issn>
      <issn publication-format="online">2587-9960</issn>
      <publisher>
        <publisher-name xml:lang="en">National Research University of Electronic Technology</publisher-name>
        <publisher-name xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"</publisher-name>
      </publisher>
    </journal-meta>
    <article-meta>                                    
      
    <article-id pub-id-type="udk">53.072:621.315.592</article-id><article-categories><subj-group><subject>Краткие сообщения</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title xml:lang="en">Calculation of Growth Striations in Multicomponent Crystals while Growing by Bridgeman Method</article-title><trans-title-group xml:lang="ru"><trans-title>Расчет полос роста в многокомпонентных кристаллах при выращивании методом Бриджмена</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Гончаров Виктор Анатольевич</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Гончаров</surname><given-names>Виктор Анатольевич</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Anatolevich</surname><given-names>Goncharov Viktor</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Goncharov Viktor Anatolevich</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><aff id="AFF-1" xml:lang="ru"/></contrib-group><fpage>380</fpage><lpage>382</lpage><self-uri>http://ivuz-e.ru/en/issues/4-_2016/raschet_polos_rosta_v_mnogokomponentnykh_kristallakh_pri_vyrashchivanii_metodom_bridzhmena/</self-uri><self-uri content-type="pdf">http://ivuz-e.ru/en/download/4_2016_1679_en.pdf</self-uri><abstract xml:lang="en"><p>The model of the process of growing semiconductor crystals by the Bridgeman method with taking into account the non-stationary effect from the technological equipment side has been presented. The comparison of the microhomogeneity value in a crystal with taking into account the multicomponent system peculiarities has been performed.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="ru"><p>Моделируется процесс выращивания полупроводниковых кристаллов методом Бриджмена c учетом нестационарных воздействий, обусловленных технологическим оборудованием. Проводится сравнение величины микронеоднородности в кристалле с учетом и без учета особенностей многокомпонентности системы.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd/></kwd-group><funding-group/></article-meta>
  </front>
  <body/>
  <back>
    <ref-list><ref id="B1"><label>1.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Scheel H.J. Theoretical and technological solution of the striation problem // J. of Crystal Growth. - 2006. - Vol. 287. - N. 2. – P. - 214-223.</mixed-citation></ref><ref id="B2"><label>2.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Гончаров В.А., Дормидонтов А.Н. Численное моделирование влияния нестационарных условий на образование концентрационных полос роста при выращивании кристаллов методом Бриджмена // Изв. вузов. Электроника. - 2013. - № 6(104). - С. 3-9.</mixed-citation></ref><ref id="B3"><label>3.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Балдина Н.А., Васекин Б.В., Гончаров В.А. Моделирование возникновения аномальной поперечной неоднородности распределения примеси в космических экспериментах по выращиванию кристаллов // Математическое моделирование. - 2009. - Т. 21. - № 10. - С. 67-75.</mixed-citation></ref><ref id="B4"><label>4.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Глазов В.М., Павлова Л.М. Химическая термодинамика и фазовые равновесия (двухкомпонентные металлические и полупроводниковые системы). - М.: Металлургия, 1981. - 336 с.</mixed-citation></ref><ref id="B5"><label>5.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Диаграммы состояния двойных металлических систем: справочник: в 3 т. Т.2 / Под общ. ред. Н.П. Лякишева. - М.: Машиностроение, 1997. – 1024 с.</mixed-citation></ref></ref-list>    
  </back>
</article>
