The model of the process of growing semiconductor crystals by the Bridgeman method with taking into account the non-stationary effect from the technological equipment side has been presented. The comparison of the microhomogeneity value in a crystal with taking into account the multicomponent system peculiarities has been performed.
1. Scheel H.J. Theoretical and technological solution of the striation problem // J. of Crystal Growth. - 2006. - Vol. 287. - N. 2. – P. - 214-223.
2. Гончаров В.А., Дормидонтов А.Н. Численное моделирование влияния нестационарных условий на образование концентрационных полос роста при выращивании кристаллов методом Бриджмена // Изв. вузов. Электроника. - 2013. - № 6(104). - С. 3-9.
3. Балдина Н.А., Васекин Б.В., Гончаров В.А. Моделирование возникновения аномальной поперечной неоднородности распределения примеси в космических экспериментах по выращиванию кристаллов // Математическое моделирование. - 2009. - Т. 21. - № 10. - С. 67-75.
4. Глазов В.М., Павлова Л.М. Химическая термодинамика и фазовые равновесия (двухкомпонентные металлические и полупроводниковые системы). - М.: Металлургия, 1981. - 336 с.
5. Диаграммы состояния двойных металлических систем: справочник: в 3 т. Т.2 / Под общ. ред. Н.П. Лякишева. - М.: Машиностроение, 1997. – 1024 с.