1561-5405 10.24151/1561-5405 Proceedings of Universities. Electronics Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics" Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника» 1561-5405 2587-9960 National Research University of Electronic Technology Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" 621.315.592.669Материалы электронной техникиProduction of Silicon Nanoparticles for Use in Solar CellsПолучение наночастиц кремния для использования в солнечных элементахГрибов Борис Георгиевич ГрибовБорис Георгиевич GeorgievichGribov BorisGribov Boris GeorgievichГрибов Борис Георгиевич ГрибовБорис Георгиевич GeorgievichGribov BorisGribov Boris Georgievich316324http://ivuz-e.ru/en/issues/4-_2016/poluchenie_nanochastits_kremniya_dlya_ispolzovaniya_v_solnechnykh_elementakh/http://ivuz-e.ru/en/download/4_2016_1659_en.pdf

The technological process for the production of silicon nanopparticles from silicon monoxide, which permits to control the particle size in the 2-10 nm range, and the methods of nanosilicon coating for solar cells have been developed. It has been shown that the nanosilicon films are characterized by good anti-reflection and passivating properties and can be successfully used in the solar cell production technology.

Разработаны технологический процесс получения наночастиц кремния из монооксида кремния, позволяющий управлять размерами частиц в диапазоне 2-10 нм, а также методы нанесения покрытий из нанокремния на солнечные элементы. Исследовано влияние таких покрытий на эффективность солнечных элементов. Показано, что пленки из нанокремния характеризуются хорошими просветляющими и пассивирующими свойствами и могут успешно использоваться в технологии изготовления солнечных элементов.

 Nanosilicon / Ed. V. Kumar. – Elsevier Science. – 2nd ed. – 2016. – 464 p.Ищенко А.А., Фетисов Г.В., Асланов Л.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля. – М.: Физматлит, 2011. – 648 с.Выращивание нанокристаллического кремния из матрицы аморфного монооксида кремния/ Б.Г. Грибов, К.В. Зиновьев, О.Н. Калашник и др. // Изв. вузов. Электроника. – 2012. – № 4. – С. 13–17.Способ получения кремния высокой чистоты / Б.Г. Грибов, К.В. Зиновьев, О.Н. Калашник и др. // Патент РФ №2497753. – 2013. – Бюл. № 31.Структура и фазовый состав монооксида кремния/ Б.Г. Грибов, К.В. Зиновьев, О.Н. Калашник и др. // Изв. вузов. Электроника. – 2011. – №.4. – С. 3–8.Владимиров А.Г., Коровин С.Б., Пустовой В.И. Люминесценция кремниевых наночастиц // Сб. тез. докл. Первого международного форума по нанотехнологиям «Rusnanotech-08». – М., 2008. – С. 767–769.Fujii M. Optical properties of intrincic and shallow impurity-doped silicon nanocrystals / Ed. By L. Pavesi, R. Turan // Silicon Nanocrystals: Fundamentals, Synthesis and Applications. – WILEY-VCH Veriag GmbH & Co. KGa, 2010. – Ch. 3. – P. 43–68.Нанокристаллический кремний, полученный из SiO / С.Г. Дорофеев, Н.Н. Кононов, Г.В. Фетисов и др. // Инженерный журнал «Нанотехника». – 2010. – № 3(20). – С. 3–12.Диэлектрические и транспортные свойства тонких пленок, осажденных из золей, содержащих наночастицы кремния / Н.Н. Кононов, С.Г. Дорофеев, А.А. Ищенко и др. // Физика и техника полупроводников. – 2011. – Т.45. – Вып. 3. – C. 1068–1078.Применение тонких пленок из наночастиц кремния для увеличения эффективности солнечных элементов / С.Г. Дорофеев, Н.Н. Кононов, В.М. Звероловлев и др. // ФТП. – 2014. – Т.48. – Вып.3. – C. 375–383.