1561-5405 10.24151/1561-5405 Proceedings of Universities. Electronics Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics" Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника» 1561-5405 2587-9960 National Research University of Electronic Technology Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" 538.958Фундаментальные исследованияDynamics of Excess Holes Collection in -AlGaAs/Quantum Wells of HeterostructuresДинамика накопления неравновесных дырок в квантовых ямах гетероструктур -AlGaAs/GaAs301308http://ivuz-e.ru/en/issues/4-_2016/dinamika_nakopleniya_neravnovesnykh_dyrok_v_kvantovykh_yamakh_geterostruktur_algaas_gaas/http://ivuz-e.ru/en/download/4_2016_1653_en.pdf

The influence of the excess holes capture efficiency on the carrier collection process with an increasing photoexcitation in quantum wells of n -AlGaAs/GaAs heterostructures has been studied. It has been shown that the influence of the ratio of photoluminescence intensities from quantum well and from barrier layers on the quantum well width has an oscillating form. The hole capture times in the maximum and the minimum of the oscillations have been estimated (3 psec and 370 psec, respectively). The energy transition shift in resonant quantum well at high excitation densities has been explained by the «charge buildup effect» due to the difference between the capture efficiencies of the electrons and holes.

Исследовано влияние эффективности захвата неравновесных дырок на процесс накопления носителей с ростом фотовозбуждения в квантовых ямах гетероструктур n -AlGaAs/GaAs. Показано, что зависимость отношения интенсивностей фотолюминесценции из квантовой ямы и из барьерных слоев от ширины ямы имеет осциллирующий характер. Проведена оценка времени захвата дырок в максимуме и минимуме осцилляций: примерно 3 и 370 пс. Сдвиг энергии перехода в резонансной яме при сильном возбуждении объяснен влиянием встроенного заряда, возникающего за счет разных темпов захвата электронов и дырок.

 Кочиев М.В., Цветков В.А., Сибельдин Н.Н. Кинетика накопления при фотовозбуждении и релак-сации избыточных дырок в мелких квантовых ямах GaAs/AlGaAs // Письма в ЖЭТФ. – 2015. –Т. 101. – Вып. 3. – С. 200–206.Яременко Н.Г., Карачевцева М.В., Страхов В.А. Резонансный захват дырок в модулированно-легированных структурах N-AlGaAs/GaAs с квантовыми ямами // Доклады АН. – 2011. – Т. 437. – № 3. – С. 321–326.Blom P.W.M., Smit C., Havercot J.E.M., Wolter J.H. Carrier capture into a semiconductor quantum wells // Phys. Rev. B. – 1993. – Vol. 47. – N. 4. – P. 2072–2081.Козырев С.В., Шик А.Я. Захват носителей в квантовые ямы гетероструктур // ФТП. – 1985. –Т. 19. – № 9. – С. 1667–1670.Brum J.A., Bastard G. Resonant carrier capture by semiconductor quantum wells // Phys. Rev. B. – 1986. – Vol. 33. – N. 2. – P. 1420–1423.Determination of band-gap discontinuity in AlGaAs/GaAs sistem by quantum oscillations of photolumines-cence intensity / T. Mishima, J. Kasai, M. Morioka et al. // Surface Science. – 1986. – Vol. 174. –P. 307–311.Fujiwara A., Fukatsu S., Shiraki Y., Ito R. Observation of resonant electron capture in AlGaAs/GaAs quantum well structures // Surface Science. – 1992. – Vol. 263. – P. 642–645.Morris D., Deveaud B., Regreny A., Auvray P. Electron and hole capture in multiple-quantum well struc-tures // Phys. Rev. B. – 1993. – Vol. 47. – N. 11. – P. 6819–6822.Barros M.R.X., Becker P.C., Morris D., Deveaud B. Ultrafast optical evidence for resonant electron capture in quantum wells // Phys. Rev. B. – 1993. – Vol. 47. – N. 16. – P. 10951–10954.Козырев С.В., Шик А.Я. Захват и рекомбинация неравновесных носителей в структурах с кванто-выми ямами // ФТП. – 1988. – Т. 22. – Вып. 1. – С. 105–111.