1561-5405 10.24151/1561-5405 Proceedings of Universities. Electronics Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics" Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника» 1561-5405 2587-9960 National Research University of Electronic Technology Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" 539.25; 620.187.3Методы и техника измеренийStudies on Structure and Composition of Strained Epitaxial Layer in Heterostructure InAlAs/GaAs(100) by Transmission Electron MicroscopyИсследование структуры и состава напряженного эпитаксиального слоя в гетерокомпозиции InAlAs/GaAs(100) методами просвечивающей электронной микроскопииБоргардт Николай ИвановичБоргардтНиколай ИвановичBorgardtNikolay I.Nikolay I. BorgardtВолков Роман ЛеонидовичВолковРоман ЛеонидовичVolkovRoman L.Roman L. VolkovNational Research University of Electronic Technology, Moscow, Russia431439http://ivuz-e.ru/en/issues/4-_2015/issledovanie_struktury_i_sostava_napryazhennogo_epitaksialnogo_sloya_v_geterokompozitsii_inalas_gaas/http://ivuz-e.ru/en/download/4_2015_1925_en.pdf

The results of the electron microscopy studies of a thin InAlAs epitaxial layer on the GaAs(100) substrate have been reported. The misfit dislocations at the heterointerface have been revealed, however, a residual strain has been found to exist in the layer, which distorts its lattice. By measuring the layer lattice parameters along the growth direction and perpendicular to it away from the misfit dislocations, the nominal lattice parameter has been locally calculated and the indium content has been found.

Представлены результаты электронно-микроскопических исследований эпитаксиального слоя InAlAs на подложке GaAs(100). Установлено, что на границе раздела материалов присутствуют дислокации несоответствия, а в слое имеются остаточные деформации, искажающие решетку. В результате измерения параметров решетки слоя вдоль направления роста и перпендикулярно ему вдали от дислокаций несоответствия локально вычислен номинальный параметр решетки слоя и определена доля индия.

 Квантово-размерные гетероструктуры на основе AlGaN для светодиодов глубокого ультрафиолетового диапазона, полученные методом субмонослойной дискретной молеку-лярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота / В.Н. Жмерик, А.М. Мизеров, Т.В. Шубина и др. // Физика и техника полупроводников. – 2008. – Т. 42. – Вып. 12. – C. 1452–1458.III-V Semiconductor nanowire light emitting diodes and lasers / J. Motohisa, K. Tomioka, B. Hua et al. // Advances in III-V semiconductor nanowires and nanodevices / Ed. by J. Li, D. Wang, R.R. LaPierre. – Bentham Science Publishers Ltd., 2011. – P. 178.Alferov Z.I., Andreev V.M., Rumyantsev V.D. III-V Solar cells and concentrator arrays // High-efficient low-cost photovoltaics. Recent developments / Ed. by V. Petrova-Koch, R. Hezel, A. Goetzberg. – Berlin: Springer-Verlag Heidelberg, 2009. – P. 225.Composition-dependent interfacial abruptness in Au-catalyzed Si1−xGex/Si/Si1−xGex nan-owire heterostructures / P. Periwal, N.V. Sibirev, G. Patriarche et al. // NanoLetters. – 2014. – Vol. 14. – P. 5140–5147.Transmission electron microscopy characterization of nanomaterials / Ed. by C.S.S.R. Kumar. – Berlin: Springer-Verlag Heidelberg, 2014. – P. 716.Ловыгин М.В., Боргардт Н.И., Казаков И.П., Зайбт М. Электронно-микроскопические исследования слоя алюминия, выращенного на вицинальной поверхности подложки арсенида галлия // Физика и техника полупроводников. – 2015. – Т. 49. – Вып. 3. – С. 349–356.Williams D.B., Carter C.B. Transmission electron microscopy: a textbook for materials science. – NY: Springer Science & Business Media, 2009. – P. 832.Rosenauer A. Transmission electron microscopy of semiconductor nanostructures: analysis of composition and strain state. – Berlin: Springer Heidelberg, 2003. – P. 238.The peak-pairs algorithm for strain mapping from HRTEM images / P.L. Galindo, S. Kret, A.M. Sanchez et al. // Ultramicroscopy. – 2007. – Vol. 107. – P. 1186–1193.