1561-5405 10.24151/1561-5405 Proceedings of Universities. Electronics Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics" Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника» 1561-5405 2587-9960 National Research University of Electronic Technology Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" 621.3.049.77:001.63Микроэлектронные приборы и системыEfficiency of Frequency Transformation on MOP-Transistors with Built-In Channel in an Intensive Handicap of RadioreceptionЭффективность преобразования частоты на наноразмерных МОП-транзисторах с индуцированным каналом в интенсивной помеховой обстановке382390http://ivuz-e.ru/en/issues/4-_2015/effektivnost_preobrazovaniya_chastoty_na_nanorazmernykh_mop_tranzistorakh_s_indutsirovannym_kanalom_/http://ivuz-e.ru/en/download/4_2015_1913_en.pdf

The algorithms and technique for calculation of the maximum values of components of the target current of MOP-transistor with the built-in channel of n-type depending on the topological norms of submicron and nanosize nanotechnologies for frequency transformation in presence of an intensive noise at its output have been developed. The calculation and the analysis of the spectral making components of intermediate frequency for the given amplitudes of a handicap, signal and generator have been carried out. The behavior of MOP-transistors with the built-in channel of the n-type, designed according to GPDK045 and GPDK0990, has been investigated.

Разработаны алгоритм и методика расчета максимальных значений компонент выходного тока МОП-транзистора с индуцированным каналом n -типа в зависимости от топологических норм субмикронных и наноразмерных технологий для преобразователя частоты при наличии на его входе интенсивной помехи. Проведены расчет и анализ синфазных компонент спектральных составляющих промежуточной частоты для заданных амплитуд помехи, сигнала и гетеродина.

 Красников Г.Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов: в 2-х ч. Ч. 1.  М.: Техносфера, 2002.  416 с.Адамов Д. Учет особенностей микроэлектронных технологий при проектировании БИС // Электроника: НТБ.  2007.  №7.  С. 98.Пожидаев Л.И., Мушта А.И. Оценка эффективности транзисторного преобразова-теля частоты при воздействии на его вход интенсивной гармонической помехи // Радио-техника и электроника.  1983. – Т. 28. – № 10.  С. 2067.Хорошайлова М.В., Шеховцов Д.В., Мушта А.И., Строгонов А.В. Сток-затворные характеристики МОП-транзисторов с индуцированными каналами в наноразмерном тех-нологическом базисе // Вестник ВГТУ.  2014.  Т. 10.  № 3-1.University software license and maintenance argeement. Argeement №: USLMA / VST / 1210. Date of argeement: December 8, 2010.Cadence® AnaLog Design Enviroнмent User Guide. Product Version 5.0, 2003, 480 p.Бруевич А.Н., Евтянов С.И. Аппроксимация нелинейных характеристик и спектры при гармоническом воздействии.  М.: Сов. радио, 1965.  344 с.Николаев И. М., Филинюк Н. А. Интегральные микросхемы и основы их проекти-рования: учебник для техникумов. – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Радио и связь, 1992. – 424 с.Журавлев Д.В., Мушта А.И. Алгоритм расчета спектральной компоненты преобра-зованной частоты МДП-транзистором, реализованным по глубокосубмикронной или на-нотехнологии // Информационный бюллетень «Алгоритмы и программы».  2013.  № 2.Sheng S. Li. Semiconductor physical electronics.  Second Edition.  Springer, 2006.