The algorithms and technique for calculation of the maximum values of components of the target current of MOP-transistor with the built-in channel of n-type depending on the topological norms of submicron and nanosize nanotechnologies for frequency transformation in presence of an intensive noise at its output have been developed. The calculation and the analysis of the spectral making components of intermediate frequency for the given amplitudes of a handicap, signal and generator have been carried out. The behavior of MOP-transistors with the built-in channel of the n-type, designed according to GPDK045 and GPDK0990, has been investigated.
1. Красников Г.Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов: в 2-х ч. Ч. 1. М.: Техносфера, 2002. 416 с.
2. Адамов Д. Учет особенностей микроэлектронных технологий при проектировании БИС // Электроника: НТБ. 2007. №7. С. 98.
3. Пожидаев Л.И., Мушта А.И. Оценка эффективности транзисторного преобразова-теля частоты при воздействии на его вход интенсивной гармонической помехи // Радио-техника и электроника. 1983. – Т. 28. – № 10. С. 2067.
4. Хорошайлова М.В., Шеховцов Д.В., Мушта А.И., Строгонов А.В. Сток-затворные характеристики МОП-транзисторов с индуцированными каналами в наноразмерном тех-нологическом базисе // Вестник ВГТУ. 2014. Т. 10. № 3-1.
5. University software license and maintenance argeement. Argeement №: USLMA / VST / 1210. Date of argeement: December 8, 2010.
6. Cadence® AnaLog Design Enviroнмent User Guide. Product Version 5.0, 2003, 480 p.
7. Бруевич А.Н., Евтянов С.И. Аппроксимация нелинейных характеристик и спектры при гармоническом воздействии. М.: Сов. радио, 1965. 344 с.
8. Николаев И. М., Филинюк Н. А. Интегральные микросхемы и основы их проекти-рования: учебник для техникумов. – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Радио и связь, 1992. – 424 с.
9. Журавлев Д.В., Мушта А.И. Алгоритм расчета спектральной компоненты преобра-зованной частоты МДП-транзистором, реализованным по глубокосубмикронной или на-нотехнологии // Информационный бюллетень «Алгоритмы и программы». 2013. № 2.
10. Sheng S. Li. Semiconductor physical electronics. Second Edition. Springer, 2006.