Publication of the journal

1. Схемотехническое моделирование одиночных эффектов при воздействии тяжелых заряженных частиц в КМОП СБИС с суб-100-нм проектными нормами / А. А. Смолин, А. Б. Боруздина, А. В. Уланова и др. // Изв. вузов. Электроника. 2017. Т. 22. № 5. С. 447–459. https://doi.org/10.24151/1561-5405-2017-22-5-447-459
Smolin A. A., Boruzdina A. B., Ulanova A. V., Yanenko A. V., Sogoyan A. V., Nikiforov A. Y., Telets V. A., Chumakov A. I., Shelepin N. A. Circuit engineering modeling of single event effects under impact of heavy-charged particles in sub-100 nm CMOS ICs. Izv. vuzov. Elektronika = Proc. Univ. Electronics, 2017, vol. 22, no. 5, pp. 447–459. (In Russian). https://doi.org/10.24151/1561-5405-2017-22-5-447-459

2. Тельпухов Д. В., Деменева А. И., Надоленко В. В. Исследование и разработка автоматизированных средств моделирования случайных сбоев в современных комбинационных КМОП ИМС // Изв. ЮФУ. Технические науки. 2019. № 4 (206). С. 207–219. https://doi.org/10.23683/2311-3103-2019-4-207-219
Telpukhov D. V., Demeneva A. I., Nadolenko V. V. Study and design of automated tools for simulation of soft errors in modern combinational CMOS IC. Izv. YuFU. Tekhnicheskiye nauki = Izvestiya SFEDU. Engineering Sciences, 2019, no. 4 (206), pp. 207–219. (In Russian). https://doi.org/10.23683/2311-3103-2019-4-207-219

3. Anthology of the development of radiation transport tools as applied to single event effects / R. A. Reed, R. A. Weller, A. Akkerman et al. // IEEE Transactions on Nuclear Science. 2013. Vol. 60. Iss. 3. P. 1876–1911. https://doi.org/10.1109/TNS.2013.2262101

4. An overview of the modeling and simulation of the single event transients at the circuit level / M. Andjelkovic, A. Ilic, Z. Stamenkovic et al. // 2017 IEEE 30th International Conference on Microelectronics (MIEL). Niš: IEEE, 2017. P. 35–44. https://doi.org/10.1109/MIEL.2017.8190065

5. Балбеков А. О. Методы и средства повышения устойчивости к многократным сбоям ячеек статической памяти и комбинационных элементов микросхем с проектными нормами уровня 65 нм: дис. … канд. техн. наук. М., 2022. 102 с.
Balbekov A. O. Methods and tools of increasing the resistance to multiple failures of static memory cells and combinational elements of microcircuits with design standards of the level of 65 nm, diss. for the Cand. Sci. (Eng.). Moscow, 2022. 102 p. (In Russian).

6. Single event upsets in a 130 nm hardened latch design due to charge sharing / O. A. Amusan, A. L. Stemberg, A. F. Witulski et al. // 2007 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings. 45th Annual. Phoenix, AZ: IEEE, 2007. P. 306–311. https://doi.org/10.1109/RELPHY.2007.369908

7. Белоус А. И., Солодуха В. А., Шведов С. В. Космическая электроника: в 2 кн. М.: Техносфера, 2015. Кн. 2. С. 700–1183.
Belous A. I., Solodukha V. A., Shvedov S. V. Space electronics, in 2 books. Moscow, Tekhnosfera Publ., 2015, book 2, pp. 700–1183. (In Russian).

8. Design and evaluation of radiation-hardened standard cell flip-flops / O. Schrape, M. Andjelković, A. Breitenreiter et al. // IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers. 2021. Vol. 68. No. 11. P. 4796–4809. https://doi.org/10.1109/TCSI.2021.3109080

9. Baumann R. C. Radiation-induced soft errors in advanced semiconductor technologies // IEEE Transactions on Device and Materials Reliability. 2005. Vol. 5. Iss. 3. P. 305–316. https://doi.org/10.1109/TDMR.2005.853449

10. Никифоров А. Ю., Телец В. А., Чумаков А. И. Радиационные эффекты в КМОП ИС. М.: Радио и связь, 1994. 164 с.
Nikiforov A. Yu., Telets V. A., Chumakov A. I. Radiation effects in CMOS IS. Moscow, Radio i svyaz’, 1994. 164 p. (In Russian).

11. Зебрев Г. И. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах высокой степени интеграции // Кафедра микро- и наноэлектроники НИЯУ МИФИ [Электронный ресурс]. 2010. URL: http://www.нано-е.рф/uploads/files/Zebrev_Radiacionnye_effekty.pdf (дата обращения: 27.03.2023).
Zebrev G. I. Radiation effects in silicon integrated circuits with a high degree of integration. Kafedra mikro- i nanoelektroniki NIYaU MIFI. 2010. (In Russian). Available at: http://www.xn----7sbq3abg.xn--p1ai/uploads/files/Zebrev_Radiacionnye_effekty.pdf (accessed: 27.03.2023).

12. Kirkpatrick S. Modeling diffusion and collection of charge from ionizing radiation in silicon devices // IEEE Transactions on Electron Devices. 1979. Vol. 26. Iss. 11. P. 1742–1753. https://doi.org/10.1109/T-ED.1979.19680

13. Gaspard N. J. (III) Single-event upset technology scaling trends of unhardened and hardened flip-flops in bulk CMOS: diss. for the PhD (Electr. Eng.). Nashville, TN: Univ. of Vanderbilt, 2017. IX, 79 p.

14. Multiple cell upset classification in commercial SRAMs / G. Tsiligiannis, L. Dilillo, A. Bosio et al. // IEEE Transactions on Nuclear Science. 2014. Vol. 61. Iss. 4. P. 1747–1754. https://doi.org/10.1109/TNS.2014.2313742

15. Mechanisms of multiple cell upsets in memory / A. I. Chumakov, A. V. Sogoyan, A. B. Boruzdina et al. // Сборник избранных трудов на английском языке VII Всероссийской научно-технической конференции МЭС-2016 = Selected Articles of the VII All-Russia Science and Technology Conference МES-2016. М.: ИППМ РАН, 2017. Ч. 4. С. 49–54.

16. Зольников В. К., Потапов И. П., Таперо К. И. Моделирование сбора заряда при воздействии тяжелых заряженных частиц в КМОП элементах микросхем // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2010. № 1. С. 275–278. EDN MVWVTJ.
Zolnikov V. K., Potapov I. P., Tapero K. I. Modeling of the charge gathering from the heavy charged particles influence in CMOS integrated circuit. Problemy razrabotki perspektivnykh mikro- i nanoelektronnykh sistem (MES) = Problems of Advanced Micro- and Nanoelectronic Systems Development (MES), 2010, no. 1, pp. 275–278. EDN MVWVTJ.