For multi-factor analysis of instrument characteristics of the field-effect Hall sensor on the SOI structure (SOI FEHS), by means of the TCAD simulation, the calculation of the output and transfer characteristics of SOI FEHS) two-dimensional model has been performed. The two-dimensional distributions of electrons of electric field and the current density in the SOI FEHS channel have been obtained in three typical modes of the sensor operation - full depletion, partial depletion and saturation. The obtained results are in good agreement with the experimental data and confirm the physical model of SOI FEHS, described above, and specific features of the instrument operation in the partial depletion region, when the conductive channel in SOI FEHS body is formed.
1. Some features of magnetometric and sensor devices based on the field effect hall sensor / M.L. Baranochnikov, A.V. Leonov, V.N. Mordkovich et al. // Advanced Electromagnetics Symposium. Proceedings. – Paris, 2012. – P. 455–459.
2. Полевой датчик Холла – новый тип преобразователя магнитного поля / В.Н. Морд-кович, М.Л. Бараночников, А.В. Леонов и др. // Датчики и системы. – 2003. – Вып. 7. – С.33–38.
3. Королёв М.А., Козлов А.В., Петрунина С.С. Особенности функционирования по-левого датчика Холла на основе КНИ структур, предназначенного для работы в телеком-муникационных сетях // Труды МФТИ. – 2015. – Т. 7. – № 3. – С. 91–95.
4. Королёв М.А., Крупкина Т.Ю., Чаплыгин Ю.А. Приборно-технологическое моде-лирование при разработке изделий микроэлектроники и микросистемной техники // Изв. вузов. Электроника. – 2005. – №4-5. – С. 64–71.
5. Козлов А.В., Королёв М.А., Петрунина С.С. Математическое моделирование влия-ния концентрации примеси на величину тока стока КНИ полевого датчика Холла // Изв. вузов. Электроника. – 2015. – Т. 20. – №4. – С. 377–381.
6. Королёв М.А., Павлюк М.И., Девликанова С.С. Физическая модель полевого дат-чика Холла на основе КНИ-структуры //Изв. вузов. Электроника. – 2016. – Т. 22. – № 2 – С. 166–170.